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NXP BLF147

Rugged N-channel FET suitable for motor control, lighting and industrial automation

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Ampleon Usa Inc.

Herstellerteil #: BLF147

Datenblatt: BLF147 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-121B

Produktart: RF FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2.963 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BLF147 Allgemeine Beschreibung

Furthermore, BLF147 is easy to integrate into existing circuit designs, thanks to its standard pin configuration and compatibility with industry-standard components. This makes it a versatile and reliable option for a wide range of applications

blf147

Funktionen

  • Output power of up to 150 watts
  • High efficiency (up to 65%)
  • High gain (up to 17 dB)
  • Excellent thermal stability
  • Designed for use in class-AB operation

Anwendung

  • Cellular base stations
  • Broadcast transmitters
  • ISM band amplifiers
  • High-power amplifiers for other wireless applications

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Package Tray Product Status Obsolete
Technology MOSFET Configuration N-Channel
Frequency 108MHz Gain 14dB
Voltage - Test 28 V Current Rating (Amps) 25A
Current - Test 1 A Power - Output 150W
Voltage - Rated 65 V Mounting Type Chassis Mount
Package / Case SOT-121B

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Äquivalente Teile

Für den BLF147 Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:

Artikelnummer

Marken

Paket

Beschreibung

Artikelnummer :   MRF6VP3450H

Marken :  

Paket :  

Beschreibung :  

Artikelnummer :   BLF175

Marken :  

Paket :   TO-59

Beschreibung :   HF/VHF power MOS transistor

Artikelnummer :   MRF6VP11KH

Marken :  

Paket :   NI-123

Beschreibung :   NI-1230

Artikelnummer :   BLF184XR

Marken :  

Paket :   SOT-1214A

Beschreibung :   Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin SOT-1214A

Artikelnummer :   MRF13750H

Marken :  

Paket :  

Beschreibung :  

Teilpunkte

  • BLF147 is a power transistor chip designed for high-frequency linear applications in the UHF band. It offers high power output and efficiency, making it ideal for use in professional radio and television transmitters. Its advanced design and low thermal resistance help to maximize performance and reliability in demanding RF power amplifier applications.
  • Equivalent

    BLF177, BLF188, BLF887A, BLF888A, BLF860A, and BLF861A are equivalent products to the BLF147 chip. These transistors are designed for high-power amplifier applications in the field of broadcast and industrial, scientific, and medical (ISM) applications.
  • Features

    1. High power LDMOS transistor 2. Frequency range: 1.8-600 MHz 3. Output power: 120W 4. Efficiency: 75% 5. Excellent thermal stability 6. Integrated ESD protection 7. Saturated gain: 23 dB 8. High ruggedness and reliability 9. Suitable for industrial, scientific, and medical applications 10. RoHS compliant
  • Pinout

    The BLF147 is a N-channel enhancement mode power MOS transistor. It has a pin count of 4 with the following functions: gate (G), drain (D), source (S), and substrate (S). The BLF147 is commonly used in RF power amplifier applications.
  • Manufacturer

    NXP Semiconductors is the manufacturer of the BLF147. It is a Dutch global semiconductor manufacturer known for producing a wide range of products for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. NXP Semiconductors focuses on innovation, quality, and sustainability in its products.
  • Application Field

    The BLF147 is commonly used in high power linear applications in the UHF frequency band, typically in the range of 470-860 MHz. It is often found in television transmitters, cellular base stations, and other RF power amplifiers where high power and efficiency are required.
  • Package

    The BLF147 chip is a metal-ceramic package type with a stud / flange form. It comes in a size of 7mm x 7mm x 1.5mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation BLF147 PDF Herunterladen

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