Bestellungen über
$5000NXP AFT05MS006NT1
RF Mosfet 7.5 V 100 mA 520MHz 18.3dB 6W PLD-1.5W
Marken: NXP
Herstellerteil #: AFT05MS006NT1
Datenblatt: AFT05MS006NT1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PLD-1.5W
Produktart: RF FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
AFT05MS006NT1 Allgemeine Beschreibung
The AFT05MS006NT1 RF FET transistor offers reliable performance and efficiency in high-frequency applications. Its N-channel design allows for controlled signal amplification and switching, while the 30V operating voltage ensures compatibility with various power sources. With a frequency range spanning from 136MHz to 941MHz, this transistor is well-suited for use in wireless communication systems, radar systems, and other RF applications. Its 3-pin PLD-1.5W package provides a compact and lightweight solution for space-constrained designs. The Tape and Reel packaging option simplifies the assembly process for manufacturers, ensuring quick and efficient production of RF circuits using this transistor
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 4.7 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | - |
Operating Frequency: | 136 MHz to 941 MHz | Gain: | 18.3 dB |
Output Power: | 6 W | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
Packaging: | MouseReel | Brand: | NXP Semiconductors |
Moisture Sensitive: | Yes | Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Series: | AFT05MS006N | Factory Pack Quantity: | 1000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | LDMOS FET |
Type: | RF Power MOSFET | Part # Aliases: | 935311718515 |
Unit Weight: | 0.009877 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
---|---|---|
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. | |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
Schritt1 :Produkt
-
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
Schritt5 :Verpackungskartons
-
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The AFT05MS006NT1 chip is a GaN power amplifier designed for use in satellite communication applications. It offers high power efficiency, wide bandwidth, and low RF distortion, making it ideal for use in high-frequency communications systems.
-
Equivalent
The equivalent products of AFT05MS006NT1 chip are AFT05MS004NT1 and AFT05MS012NT1 chips. These chips have similar specifications and functionalities to the AFT05MS006NT1 chip. -
Features
AFT05MS006NT1 is a high-power RF transistor with a maximum power output of 9W and operates at a frequency of 520-610 MHz. It is designed for use in applications such as two-way radios and small base stations. It has a compact size, high gain, and high efficiency, making it ideal for low power output requirements. -
Pinout
AFT05MS006NT1 is a 6-pin module RF power amplifier with a typical output power of 37.5 dBm in the 1.8-2.2 GHz frequency range. The pins are for RF input, Vdd, Ground, Vbias, RF output, and Enable. -
Manufacturer
AFT05MS006NT1 is manufactured by Mitsubishi Electric. Mitsubishi Electric is a multinational electronics and electrical equipment manufacturing company based in Japan. They produce a wide range of products including air conditioning systems, automotive equipment, elevators, and factory automation systems. -
Application Field
AFT05MS006NT1 is a thermal interface material designed for applications where high electrical insulation and low thermal resistance are required, such as power supplies, LED lighting, and electric vehicles. It is commonly used in automotive, industrial, and electronics industries for efficient heat dissipation and thermal management. -
Package
The AFT05MS006NT1 chip is a SMT package type, in the form of a surface-mount device. It has a size of 6.2 mm x 4.5 mm x 1.6 mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte