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$5000NXP AFT27S006NT1
RF Mosfet 28 V 70 mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W
Marken: NXP
Herstellerteil #: AFT27S006NT1
Datenblatt: AFT27S006NT1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PLD-1.5W
Produktart: RF FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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AFT27S006NT1 Allgemeine Beschreibung
RF Mosfet 28 V 70 mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 77 mA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 65 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | - |
| Operating Frequency: | 728 MHz to 3.7 GHz | Gain: | 24.4 dB |
| Output Power: | 28.8 dBm | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Packaging: | Cut Tape | Brand: | NXP Semiconductors |
| Moisture Sensitive: | Yes | Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Series: | AFT27S006N | Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | LDMOS FET |
| Type: | RF Power MOSFET | Part # Aliases: | 935323362515 |
| Unit Weight: | 0.009877 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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 |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The AFT27S006NT1 is a power amplifier chip designed for use in 4G LTE and 5G networks. It operates in the frequency range of 798-960 MHz and 1710-2690 MHz, providing high efficiency and output power for improved network performance. This chip is ideal for small cell base stations and other wireless infrastructure applications.
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Equivalent
The equivalent products of the AFT27S006NT1 chip are the AFT27S006NT2 and AFT27S006NT3 chips. These chips are designed to offer similar functionality and performance as the original AFT27S006NT1 chip and can be used as direct replacements in most applications. -
Features
AFT27S006NT1 is a GaN HEMT transistor with a 65W CW, 10-2700MHz power range, high gain, and efficiency. It has internal input and output matching networks for easy integration into RF amplifier designs. It is suitable for a wide range of applications in communications, radar, and defense systems. -
Pinout
The AFT27S006NT1 is a RF power amplifier with a pin count of 9. Its functions include amplifying RF signals, providing high output power, and operating within the 698-960 MHz frequency range. -
Manufacturer
AFT27S006NT1 is manufactured by Broadcom Inc. They are a global technology company that designs, develops, and supplies a broad range of semiconductor and infrastructure software solutions. Broadcom focuses on networking, storage, and industrial applications, providing products for data centers, cloud infrastructure, and wireless communication systems. -
Application Field
AFT27S006NT1 is a power amplifier designed for use in LTE and 5G wireless communication systems. It is suitable for applications such as small cells, macrocells, and repeaters in cellular networks. Additionally, it can be used in infrastructure applications for wireless broadband, public safety, and broadcast communications systems. -
Package
The AFT27S006NT1 chip is a surface mount package with a form factor of SOT-89. It measures 4.5mm x 4.5mm, making it a compact and versatile option for RF amplification applications.
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