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NXP AFT09MS007NT1
RF Mosfet 7.5 V 100 mA 870MHz 15.2dB 7.3W PLD-1.5W
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Marken: NXP
Herstellerteil #: AFT09MS007NT1
Datenblatt: AFT09MS007NT1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PLD-1.5
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: RF FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $2,976 | $2,976 |
10 | $2,910 | $29,100 |
30 | $2,866 | $85,980 |
100 | $2,824 | $282,400 |
Auf Lager: 9.458 Stck
AFT09MS007NT1 Allgemeine Beschreibung
RF Mosfet 7.5 V 100 mA 870MHz 15.2dB 7.3W PLD-1.5W
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 mV, 30 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | - |
Operating Frequency: | 870 MHz | Gain: | 15.2 dB |
Output Power: | 7.3 W | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | PLD-1.5 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | NXP Semiconductors | Moisture Sensitive: | Yes |
Pd - Power Dissipation: | 114 W | Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Series: | AFT09MS007N | Factory Pack Quantity: | 1000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | LDMOS FET |
Type: | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 6 V, 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V | Part # Aliases: | 935318254515 |
Unit Weight: | 0.009877 oz |
Versand
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The AFT09MS007NT1 is a power MOSFET transistor chip designed for high frequency RF amplifiers and small signal applications. It offers high power gain, low insertion loss, and excellent linearity for use in various communication systems and RF circuits.
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Equivalent
The equivalent products of AFT09MS007NT1 chip are RF MOSFET power transistors. These include AFT09MS004NT1, AFT09MS004N, AFT09MS005NT1, AFT09MS005N, AFT09MS006NT1, AFT09MS006N, AFT09MS009N, AFT09MS010N, and AFT09MS040N. -
Features
The AFT09MS007NT1 is a 700W, 900-960MHz RF power transistor with a gain of 16dB. It features high efficiency and ruggedness, making it ideal for use in industrial, scientific, and medical applications. This transistor also offers excellent thermal stability and wideband performance for reliable performance in various conditions. -
Pinout
AFT09MS007NT1 is a high-power RF transistor with a pin count of 3. It functions as a power amplifier for wireless communication applications, providing high gain and efficiency at frequencies up to 1 GHz. -
Manufacturer
AFT09MS007NT1 is manufactured by TDK Corporation. TDK Corporation is a leading multinational electronics company based in Japan that specializes in manufacturing electronic components and devices. They provide a wide range of products including capacitors, inductors, sensors, and batteries for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
AFT09MS007NT1 is commonly used in applications requiring power-switching or amplification, such as in automotive systems, industrial motors, and power supplies. It is suitable for high voltage operations and can help enhance the performance and efficiency of various electronic devices. -
Package
The AFT09MS007NT1 chip is in a surface-mount package type. The form is integrated circuit, and the size is 5mm x 5mm.
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