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$50002N2907ACSM
2N2907ACSM Product Insight: Semiconductor devices tailored for precise control in electronic circuits
Marken: tt electronics
Herstellerteil #: 2N2907ACSM
Datenblatt: 2N2907ACSM Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-18-3
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.245 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Funktionen
- SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR
- HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
- CECC SCREENING OPTIONS
- SPACE QUALITY LEVELS OPTIONS
- HIGH SPEED SATURATED SWITCHING
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-18-3 | Transistor Polarity | PNP |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 60 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6 V | Pd - Power Dissipation | 400 mW |
Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 200 C | Brand | Semelab / TT Electronics |
Continuous Collector Current | 600 mA | DC Collector/Base Gain hfe Min | 100 at 150 mA, 10 V |
DC Current Gain hFE Max | 300 at 150 mA, 10 V | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Subcategory | Transistors |
Versand
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