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$50002N6849
TO-F-package design provides superior thermal dissipation and mechanical robustnes
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Marken: Infineon
Herstellerteil #: 2N6849
Datenblatt: 2N6849 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-205AF
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 4.682 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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2N6849 Allgemeine Beschreibung
Featuring a p-channel polarity, the 2N6849 transistor is capable of withstanding a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 6.5A. With an on-resistance of 0.3ohm and a threshold voltage of 4V, this through-hole mounted device is designed to deliver optimal performance in various applications. However, it is important to mention that the transistor is not RoHS compliant
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Configuration | Discrete | ID max | -6.5 A |
Package | TO-205AF | Polarity | P |
Qualification | DLA | VBRDSS min | -100.0 V |
QPL Part Number | 2N6849 | RDS (on) max | 300.0 mΩ |
Language | SPICE |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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