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2SK3065T100
N-Channel 60 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3
Marken: ROHM Semiconductor
Herstellerteil #: 2SK3065T100
Datenblatt: 2SK3065T100 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-89-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original
Produktart: MOSFET
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,249 | $1,245 |
| 50 | $0,200 | $10,000 |
| 150 | $0,180 | $27,000 |
| 1000 | $0,154 | $154,000 |
| 2000 | $0,143 | $286,000 |
| 5000 | $0,136 | $680,000 |
In Stock:9458 PCS
2SK3065T100 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 60 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3
Funktionen
- 1) Low on resistance.
- 2) High-speed switching.
- 3) Optimum for a pocket resource etc. because of undervoltage actuation (2.5V actuation).
- 4) Driving circuit is easy.
- 5) Easy to use parallel.
- 6) It is strong to an electrostatic discharge.
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-89-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV | Qg - Gate Charge: | - |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | ROHM Semiconductor |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 70 ns |
| Height: | 1.5 mm | Length: | 4.5 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 50 ns |
| Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 120 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Width: | 2.5 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The 2SK3065T100 chip is a power MOSFET transistor designed for high voltage applications. It has a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 10A. This chip features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for use in various electrical devices and circuits that require high power handling.
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Equivalent
Some equivalent products of the 2SK3065T100 chip include the IRFBC20PBF MOSFET and the FDP2532 Fairchild Semiconductor MOSFET. These chips serve similar functions and can be used as substitutes in various applications. -
Features
The 2SK3065T100 is a high voltage N-channel MOSFET transistor designed for switching applications. It has a maximum drain-source voltage of 900V, a maximum drain current of 4A, and a low on-resistance of 1.5 ohms. It also has a fast switching speed and low gate charge, making it suitable for various high voltage applications. -
Pinout
The 2SK3065T100 is a 3-pin MOSFET transistor. Its pin count includes the Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate controls the flow of current between the Drain and Source, making it suitable for various switching applications in electronics. -
Manufacturer
The manufacturer of the 2SK3065T100 is Renesas Electronics Corporation. Renesas Electronics is a Japanese semiconductor manufacturer, providing advanced semiconductor solutions for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and more. -
Application Field
The 2SK3065T100 is a power MOSFET transistor commonly used in switching applications such as power supplies, amplifiers, motor control, and inverters. It is also suitable for various other electronic applications requiring high voltage and current capabilities. -
Package
The 2SK3065T100 chip is available in a TO-220F package type, which is a through-hole package with three pins. The form of the chip is a field-effect transistor (FET). The size of the package is approximately 10.2mm x 15.4mm x 4.6mm.
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