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$5000Infineon AUIRF7341Q
Automotive Grade N-channel Silicon Transistor MOSFET with 55V Voltage Rating and 5.1A Current Rating
Marken: Infineon
Herstellerteil #: AUIRF7341Q
Datenblatt: AUIRF7341Q Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOIC-8
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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AUIRF7341Q Allgemeine Beschreibung
The AUIRF7341Q is constructed using Silicon Metal-oxide Semiconductor technology, providing excellent performance and reliability in demanding operating conditions. Its 2-element design allows for precise control of current flow and voltage regulation, ensuring stable and consistent operation over time
Funktionen
- Advanced Planar Technology
- Low On-Resistance
- Dual N and P Channel MOSFET
- Dynamic dV/dT Rating
- 150°C Operating Temperature
- Fast Switching
- Lead-Free, RoHS Compliant
- Automotive Qualified
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOIC-8 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V | Id - Continuous Drain Current: | 5.1 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Qg - Gate Charge: | 29 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Pd - Power Dissipation: | 2.4 W | Channel Mode: | Enhancement |
Packaging: | Tube | Brand: | Infineon Technologies |
Configuration: | Dual | Fall Time: | 12.5 ns |
Height: | 1.75 mm | Length: | 4.9 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 7.7 ns |
Factory Pack Quantity: | 95 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9.2 ns | Width: | 3.9 mm |
Part # Aliases: | SP001520152 |
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