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BC857AT-7-F

The BC857AT-7-F transistor is designed for applications requiring PNP polarity

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Diodes Incorporated

Herstellerteil #: BC857AT-7-F

Datenblatt: BC857AT-7-F Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-523-3

Produktart: Single Bipolar Transistors

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7.804 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS Details
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOT-523-3
Transistor Polarity PNP Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V Collector-Emitter Saturation Voltage 650 mV
Maximum DC Collector Current 100 mA Pd - Power Dissipation 150 mW
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series BC857A
Brand Diodes Incorporated DC Collector/Base Gain hfe Min 125
Height 0.75 mm Length 1.6 mm
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Transistors Technology Si
Width 0.8 mm

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

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  • Verpackungskartons

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  • Barcode-Versandetikett

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Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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