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$5000BLF642,112
Meet BLF642,112 - a MOSFET solution delivering 35W power output, packaged in SOT-467C format and meeting ROHS environmental standards
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Marken: Ampleon USA Inc.
Herstellerteil #: BLF642,112
Datenblatt: BLF642,112 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-467C
Produktart: RF FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.586 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BLF642,112 Allgemeine Beschreibung
The BLF642 is a high-performance RF Power Field-Effect Transistor designed for use in L Band applications. This N-Channel Silicon FET boasts superior reliability and efficiency, making it ideal for a wide range of wireless communication systems
Funktionen
- CW performance at 1300 MHz, a drain-source voltage VDSof 32 V and a quiescent drain current IDq=0.2A :
- Average output power = 35 W
- Power gain = 19 dB
- Drain efficiency = 63 %
- 2-tone performance at 1300 MHz, a drain-source voltage VDSof 32 V and a quiescent drain current IDq=0.2A :
- Average output power = 17.5 W
- Power gain = 19 dB
- Drain efficiency = 48 %
- Intermodulation distortion = 28 dBc
- Integrated ESD protection
- Excellent ruggedness
- High power gain
- High efficiency
- Excellent reliability
- Easy power control
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Package | Tray | Product Status | Active |
Technology | LDMOS | Frequency | 1.3GHz |
Gain | 19dB | Voltage - Test | 32 V |
Current - Test | 200 mA | Power - Output | 35W |
Voltage - Rated | 65 V | Mounting Type | Chassis Mount |
Package / Case | SOT-467C | Supplier Device Package | SOT467C |
Base Product Number | BLF642 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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BLF642,112 is a high-power LDMOS RF transistor chip designed for use in high-frequency amplifiers. It offers excellent linearity, efficiency, and power capabilities, making it ideal for applications such as cellular base stations and broadcast transmitters.
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Equivalent
The equivalent products of BLF642,112 chip are Freescale MRFE6VP61K25H, NXP MRF6VP61K25HR6, and NXP MRF6VP61K25HR5. These are all RF power LDMOS transistors that offer similar performance and specifications to the BLF642,112 chip. -
Features
BLF642,112 is a high power RF transistor for mobile radio applications. It operates at a frequency range of 470-800 MHz with an output power of 44W. This transistor offers high efficiency, compact size, and excellent linearity, making it suitable for various mobile radio applications. -
Pinout
The BLF642,112 is a RF power transistor with a pin count of 2. Pin 1 is the gate/source and Pin 2 is the drain. It is designed for use in high power RF amplifier applications in the UHF frequency range. -
Manufacturer
The BLF642,112 is manufactured by NXP Semiconductors, a global semiconductor manufacturer known for its expertise in designing and producing high-performance integrated circuits used in a wide range of applications. NXP Semiconductors specializes in providing solutions for automotive, industrial, consumer, and communication markets. -
Application Field
The BLF642,112 is commonly used in applications requiring high-power amplification, such as in mobile communication systems, base stations, radar systems, and industrial heating equipment. It is also suitable for use in medical applications, military communication systems, and broadcast stations due to its high efficiency and high-frequency capabilities. -
Package
The BLF642,112 chip is in a SOT539A (SOT669) package. It has a surface mount form and measures 5.9mm x 4.3mm x 1.7mm in size.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte