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BSS123W-7-F
0805 Surface Mount Multilayer Ceramic Capacitor, 0.22 uF, 50 V, ±10 % Tolerance, X7R
Marken: Diodes Incorporated
Herstellerteil #: BSS123W-7-F
Datenblatt: BSS123W-7-F Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-323-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8577 Stück, Neues Original
Produktart: MOSFET
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 10 | $0,037 | $0,370 |
| 100 | $0,032 | $3,200 |
| 300 | $0,029 | $8,700 |
| 3000 | $0,027 | $81,000 |
| 6000 | $0,026 | $156,000 |
| 9000 | $0,025 | $225,000 |
In Stock:8577 PCS
BSS123W-7-F Allgemeine Beschreibung
The BSS123W-7-F is a N-channel MOSFET transistor manufactured by Diodes Incorporated. It features a compact SOT-323 surface mount package, making it suitable for space-constrained applications. The transistor has a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 170mA, making it ideal for low-power switching applications.The BSS123W-7-F has a low threshold voltage of 1V, allowing it to be easily driven by logic level signals. It also has a low on-resistance of 6.5 ohms, ensuring minimal power dissipation during operation. This makes it a highly efficient option for power management circuits.Additionally, the BSS123W-7-F has a fast switching speed, with a typical turn-on time of 24ns and a turn-off time of 60ns. This allows for rapid switching transitions, making it suitable for high-frequency applications.
Funktionen
- Enhanced low threshold voltage
- Low on-state resistance
- Logic level enhancement mode
- Low input and output leakage
- Fast switching speed
- SOT323 package
- Low profile and space-saving
Anwendung
- Signal switching in audio and video applications
- Biasing and buffering in audio amplifiers
- Voltage regulation in power supplies
- Logic level shifting in digital circuits
- Motor control in industrial automation
- Sensor signal amplification in automotive systems
- LED dimming in lighting applications
- Battery charging and discharging control in portable devices
- Solenoid driver in automotive and industrial applications
- Switching and protection in small signal circuits
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 170 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 6 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW | Channel Mode | Enhancement |
| Series | BSS123W | Brand | Diodes Incorporated |
| Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 0.08 S, 0.37 S | Height | 1 mm |
| Length | 2.2 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 8 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Width | 1.35 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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