Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

BUZ900

, MOSFET, N, TO-3

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Tt Electronics

Herstellerteil #: BUZ900

Datenblatt: BUZ900 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-3

Produktart: MOSFET

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für BUZ900 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

Funktionen

  • HIGH SPEED SWITCHING
  • N–CHANNEL POWER MOSFET
  • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED
  • HIGH VOLTAGE (160V & 200V)
  • HIGH ENERGY RATING
  • ENHANCEMENT MODE
  • INTEGRAL PROTECTION DIODE
  • P–CHANNEL ALSO AVAILABLE AS BUZ905 & BUZ906

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET Technology Si
Brand Semelab / TT Electronics Product Type MOSFET
Subcategory MOSFETs

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BUZ900 chip is a power MOSFET transistor designed for use in electronics applications. It operates at high voltage and current levels, and offers low on-resistance and fast switching characteristics. The chip is commonly used in power supplies, motor control circuits, and other high power applications where efficiency and reliability are important.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the BUZ900 chip include the IRF1010EZ, IPB135N08N3, IRF530N, and the FQP50N06. These chips have similar specifications and can often be used interchangeably in electronic circuits.
  • Features

    The BUZ900 is a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 400V and a maximum drain current of 6A. It has a low on-resistance and is designed for high-speed switching applications. The transistor is housed in a TO-220 package for easy mounting and suitable for a variety of power electronic circuits.
  • Pinout

    The BUZ900 is a Power MOSFET transistor with a pin count of 3. Its main function is to control and switch high power loads in various electronic circuits and applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BUZ900 is Infineon Technologies. It is a multinational semiconductor company specializing in various products such as power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon Technologies serves a wide range of industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The BUZ900 is a power MOSFET designed for various applications such as automotive, motor control, and power supplies. It can be used in circuits requiring high voltage and current capabilities due to its low on-resistance and high current handling capacity. Additionally, it is suitable for applications where high efficiency and reliability are crucial.
  • Package

    The BUZ900 chip comes in a TO-220 package type, which is a common through-hole mounting style. It has a transistor form and a relatively compact size.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • 2SK2225-E

    2SK2225-E

    Renesas

    MOSFET Power Transistor 2SK2225-E: Lead-Free, TO-3...

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • SCT30N120

    SCT30N120

    Stmicroelectronics

    N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole H

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...