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$5000CAB016M12FM3
CAB016M12FM3 is a 1B half-bridge discrete semiconductor module with dimensions of 33.8mm
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: Wolfspeed
Herstellerteil #: CAB016M12FM3
Datenblatt: CAB016M12FM3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: Module
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.384 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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CAB016M12FM3 Allgemeine Beschreibung
The CAB016M12FM3 Power Field-Effect Transistor is a high-performance module designed to handle high voltage up to 1200V. With a low on-resistance of 0.0213 ohm, this N-Channel Silicon Carbide MOSFET is ideal for various power applications requiring efficient power management
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | Wolfspeed | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS | N | REACH | Details |
Product | Power MOSFET Modules | Type | Half-Bridge Module |
Technology | SiC | Vf - Forward Voltage | 5.5 V |
Vr - Reverse Voltage | 1.2 kV | Vgs - Gate-Source Voltage | - 4 V, + 15 V |
Mounting Style | Screw Mount | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | WolfPACK |
Brand | Wolfspeed | Configuration | Dual |
Id - Continuous Drain Current | 82 A | Pd - Power Dissipation | 10 mW |
Product Type | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance | 16 mOhms |
Factory Pack Quantity | 18 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
Transistor Polarity | N-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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