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$5000CSD75208W1015
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
Marken: TEXAS INSTRUMENTS INC
Herstellerteil #: CSD75208W1015
Datenblatt: CSD75208W1015 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DSBGA-6
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.554 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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CSD75208W1015 Allgemeine Beschreibung
The CSD75208W1015 power MOSFET by Vishay Siliconix is a powerhouse when it comes to power management applications. Sporting an impressive drain-source voltage rating of 150V and a continuous drain current of 120A, this MOSFET is designed to handle high-power tasks with ease. Its low on-resistance feature is a game-changer, as it reduces power dissipation and improves overall efficiency in power circuits. Housed in a convenient PowerPAK SO-8 package, the CSD75208W1015 offers not only easy installation but also exceptional thermal performance, thanks to the inclusion of a copper clip for superior heat dissipation. Moreover, this MOSFET is RoHS compliant, signaling its commitment to environmental sustainability by being free from harmful substances like lead and mercury. In a world where technological innovation meets eco-conscious design, the CSD75208W1015 stands out as a reliable, efficient, and responsible choice for power management solutions
Funktionen
Features for the CSD75208W1015
- Dual P-Channel MOSFETs
- Common Source Configuration
- Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
- Gate-Source Voltage Clamp
- Gate ESD Protection –3 kV
- Pb Free
- RoHS Compliant
- Halogen Free
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | CSD75208W1015 | Pbfree Code | Yes |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS INC | Package Description | GRID ARRAY, R-PBGA-B6 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8541.21.00.40 | Samacsys Manufacturer | Texas Instruments |
| Configuration | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
| Drain Current-Max (ID) | 1.6 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.15 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 10 pF |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B6 | JESD-609 Code | e1 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 6 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | GRID ARRAY | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN SILVER COPPER | Terminal Form | BALL |
| Terminal Position | BOTTOM | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING |
Versand
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