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DIODES DMN3135LVT

Enhancement Mode MOSFET with Dual N-Channel

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: DIODES

Herstellerteil #: DMN3135LVT

Datenblatt: DMN3135LVT Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT163

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 8.537 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays Mfr Diodes Incorporated
Series - Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Product Status Active Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 15V
Power - Max 840mW Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package TSOT-26 Base Product Number DMN3135
Product Category MOSFET Brand Diodes Incorporated
Product Type MOSFET

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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  • Vakuumverpackung

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    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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