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$5000DN3535N8-G
N-Channel 350 V 230mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
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Marken: Microchip Technology
Herstellerteil #: DN3535N8-G
Datenblatt: DN3535N8-G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-243AA
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.679 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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DN3535N8-G Allgemeine Beschreibung
The DN3535N8-G MOSFET stands out as a versatile and high-performing component for power electronics. Its 30V maximum VDS and 100A continuous ID make it a reliable option for a wide range of projects. With a low RDS(on) of 3.5mOhm, it offers efficient power dissipation and high energy efficiency, making it suitable for applications where performance and reliability are key
Funktionen
- This high-power MOSFET has a drain-source voltage of 75V and continuous drain current of 140A
- It has low on-resistance of 3-5mΩ and suitable for high-current applications in power supplies, motor control, and automotive systems
- The device is housed in a TO-247 package for efficient heat dissipation and reliability
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA (Tj) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 150mA, 0V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V | FET Feature | Depletion Mode |
Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-243AA (SOT-89) |
Package / Case | TO-243AA |
Versand
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