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DTC114EMT2L
SOT-723 Packaged NPN Digital Transistor with Built-in Bias Resistor
Marken: ROHM Semiconductor
Herstellerteil #: DTC114EMT2L
Datenblatt: DTC114EMT2L Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: VMT-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.923 Stück, Neues Original
Produktart: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 10 | $0,031 | $0,310 |
| 100 | $0,028 | $2,800 |
| 300 | $0,026 | $7,800 |
| 1000 | $0,024 | $24,000 |
| 5000 | $0,023 | $115,000 |
| 8000 | $0,023 | $184,000 |
Auf Lager: 6.923 Stck
DTC114EMT2L Allgemeine Beschreibung
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Funktionen
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| RoHS | Details | Configuration | Single |
| Transistor Polarity | NPN | Typical Input Resistor | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VMT-3 | DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 |
| Continuous Collector Current | 50 mA | Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | DTC114EMT | Brand | ROHM Semiconductor |
| Height | 0.5 mm | Length | 1.2 mm |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | Factory Pack Quantity | 8000 |
| Subcategory | Transistors | Width | 0.8 mm |
| Part # Aliases | DTC114EM |
Versand
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|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The DTC114EMT2L is a bipolar digital transistor chip from ON Semiconductor. It is designed for low-voltage, high-speed switching applications in small electronic devices. The chip features a built-in bias voltage resistor for simplified circuit design and is suitable for a wide range of digital and analog applications.
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Equivalent
The equivalent products of the DTC114EMT2L chip are BC846L, BC846LT1, BC846W, BC846WT1, BCW60D, BCW60DLT1, FMMT5401, FMMT5401CT, and MMUN2147LT1G. These are general-purpose transistors that can be used as substitutes for the DTC114EMT2L chip in various electronic applications. -
Features
- NPN epitaxial silicon transistor - Low current drive capability (50mA) - Low voltage (5V) operation - High emitter-base voltage (5V) - High current gain (hFE) of 200-400 - Small SOT-723 surface mount package - Suitable for low voltage switching applications -
Pinout
The DTC114EMT2L is a bipolar NPN digital transistor with an SOT-723 package. It has 3 pins: base, emitter, and collector. It is used for switching and amplifying digital signals with a maximum collector current of 100mA. -
Manufacturer
Renesas Electronics is the manufacturer of DTC114EMT2L. It is a Japanese semiconductor company that provides advanced semiconductor solutions, including microcontrollers, analog devices, and power management ICs, for a wide range of industries such as automotive, industrial, healthcare, and telecommunications. -
Application Field
The DTC114EMT2L is commonly used in a wide range of applications, including digital circuits, instrumentation, relay drivers, and automotive systems. Its low voltage drop and high current capability make it suitable for switching and amplification in various electronic devices. -
Package
The DTC114EMT2L chip comes in an SOT-23 package with a surface mount form. It has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.3mm, making it small and compact for various electronic applications.
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