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$5000EM6M2T2R
6-Pin EMT-packaged Transistor MOSFET with Silicon technology, N/P-Channel, 20V voltage, and 0.2A current
Marken: ROHM Semiconductor
Herstellerteil #: EM6M2T2R
Datenblatt: EM6M2T2R Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-563-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.966 Stück, Neues Original
Produktart: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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5 | $0,080 | $0,400 |
50 | $0,071 | $3,550 |
150 | $0,067 | $10,050 |
500 | $0,063 | $31,500 |
2500 | $0,052 | $130,000 |
5000 | $0,052 | $260,000 |
Auf Lager: 8.966 Stck
EM6M2T2R Allgemeine Beschreibung
For those seeking top-notch MOSFET technology, the EM6M2T2R product offers a comprehensive solution. Featuring complex type MOSFETs with low ON-resistance capabilities, this product is perfect for a variety of applications. Its compact design is ideal for space-constrained devices, while the high-power types cater to more demanding systems. With advanced micro-processing technologies at its core, the EM6M2T2R guarantees superior performance and efficiency. Whatever your needs may be, this product's broad lineup ensures that you can find the perfect MOSFET solution to suit your requirements in the market
Funktionen
Two-channel FET array
N and P-channel transistors
Based on silicon technology
Gate-source voltage of 10V
Drain-source breakdown voltage of 20V
Maximum power of 150mW
Drain current of 200mA
Transconductance of 0.2S
Drain-source voltage of 20V
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-563-6 |
Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms, 1.2 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V, - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | - |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 150 mW | Channel Mode | Enhancement |
Series | EM6M2 | Brand | ROHM Semiconductor |
Configuration | Dual | Fall Time | 10 ns, 17 ns |
Forward Transconductance - Min | 200 mS | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 10 ns, 4 ns |
Factory Pack Quantity | 8000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns, 17 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns, 6 ns | Part # Aliases | EM6M2 |
Unit Weight | 0.000212 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Verpackung
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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