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FDS6670AS 48HRS

N-Channel 30 V 13.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: onsemi

Herstellerteil #: FDS6670AS

Datenblatt: FDS6670AS Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOIC-8

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,524 $0,524
10 $0,437 $4,370
30 $0,393 $11,790
100 $0,350 $35,000
500 $0,297 $148,500
1000 $0,283 $283,000

Auf Lager: 9.458 Stck

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FDS6670AS Allgemeine Beschreibung

For designers seeking to improve the efficiency and performance of their synchronous DC:DC power supplies, the FDS6670AS is a game-changing component. With the ability to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode, this MOSFET offers superior power conversion efficiency, thanks to its low RDS(ON) and gate charge. The incorporation of an integrated Schottky diode utilizing ON Semiconductor's advanced SyncFET technology takes functionality to the next level, making the FDS6670AS a standout choice for power supply applications

Funktionen

  • Superior reliability and performance
  • Fully integrated with advanced features
  • Exceptional noise immunity guaranteed
  • Rapid switching and high efficiency ensured
  • Advanced logic and robust architecture
  • Uncompromised quality for demanding apps

Anwendung

  • Essential for your work
  • Versatile and reliable
  • Meets various requirements

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: onsemi Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOIC-8
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous Drain Current: 13.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 9 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V Qg - Gate Charge: 38 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 2.5 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: PowerTrench SyncFET Series: FDS6670AS
Packaging: MouseReel Brand: onsemi / Fairchild
Configuration: Single Fall Time: 18 ns
Forward Transconductance - Min: 66 S Height: 1.75 mm
Length: 4.9 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 5 ns Factory Pack Quantity: 2500
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Type: FET Typical Turn-Off Delay Time: 27 ns
Typical Turn-On Delay Time: 10 ns Width: 3.9 mm
Part # Aliases: FDS6670AS_NL

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

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    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The FDS6670AS is a power MOSFET chip designed for low voltage applications. It features a low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for use in power management circuits. With a compact size and high efficiency, this chip is commonly used in electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops.
  • Equivalent

    The equivalent products of FDS6670AS chip are IRF7855PBF, IRF6894MTRPBF, AUIRFR4105ZTRPBF, and SiHG401. These are also power MOSFET N-Channel transistors with similar specifications and functionality.
  • Features

    - P-channel power MOSFET with a low on-resistance - Input capacitance of 3800pF - Drain-source voltage of -30V - High-speed switching performance - Suitable for high-frequency applications - Low gate charge for efficient operation
  • Pinout

    The FDS6670AS is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with a pin count of 8. Pin functions are as follows: pin 1 (GATE1), pin 2 (DRAIN1), pin 3 (SOURCE1), pin 4 (GND), pin 5 (GATE2), pin 6 (DRAIN2), pin 7 (SOURCE2), and pin 8 (VCC).
  • Manufacturer

    FDS6670AS is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is an American semiconductor manufacturing company. It produces a wide range of semiconductor products for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. Fairchild Semiconductor is known for its high-quality and reliable semiconductor components used in electronic devices.
  • Application Field

    The FDS6670AS is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, voltage regulators, and power switches. It is also suitable for use in motor control, lighting control, and audio amplifiers. Additionally, this MOSFET can be found in various high-power industrial and automotive applications due to its high current and voltage capability.
  • Package

    The FDS6670AS chip is a surface mount package type with a dual N-channel 30V 11.6A MOSFET. It comes in a D-Pak (TO-252) form and measures 8.67mm x 6.50mm x 4.20mm in size.

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