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FGH40T65UPD
N-Channel Trans IGBT Chip Encased in TO-247 Tube
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FGH40T65UPD
Datenblatt: FGH40T65UPD Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $6,119 | $6,119 |
| 200 | $2,369 | $473,800 |
| 450 | $2,285 | $1028,250 |
| 900 | $2,245 | $2020,500 |
Auf Lager: 9.458 Stck
FGH40T65UPD Allgemeine Beschreibung
Elevate your power electronics with the FGH40T65UPD from ON Semiconductor. Designed to meet the demands of modern technology, this series of field stop trench IGBTs offers unmatched performance in applications such as solar inverters, UPS systems, welders, and digital power generators. With its advanced technology and low losses, this product provides a reliable and efficient solution for industries seeking to maximize energy efficiency and reduce costs
Funktionen
- The FGH40T65UPD supports fast and efficient switching
- This IGBT module features high-power density
- Suitable for a wide range of power applications
Anwendung
- Data Center Rack Units
- Automated Production Machinery
- Critical Infrastructure Support
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-247 |
| Mounting Style | Through Hole | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.1 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 80 A | Pd - Power Dissipation | 268 W |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Series | FGH40T65UPD | Brand | onsemi / Fairchild |
| Gate-Emitter Leakage Current | 400 nA | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 450 | Subcategory | IGBTs |
| Unit Weight | 0.225401 oz |
Versand
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FGH40T65UPD is a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for power electronics applications. It offers low conduction and switching losses, high efficiency, and reliability. With a voltage rating of 650V and a current rating of 40A, this chip is suitable for various industrial and commercial applications requiring high power handling capabilities.
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Equivalent
Some equivalent products of the FGH40T65UPD chip are FGH40N60UF, FGH40N60SMD, and FGH40N60SF. These chips are part of the NPT Series and offer similar performance and features. -
Features
FHG40T65UPD is a Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module with a current rating of 40A and a voltage rating of 650V. It features a high short-circuit withstand time, low stray inductance, and a compact design suitable for various applications in motor drives, solar inverters, and welding equipment. -
Pinout
FGH40T65UPD is a 4-pin IGBT module, with collector, emitter, and gate terminals, as well as a base plate. It is commonly used in power electronics applications for high voltage and high current switching. -
Manufacturer
FGH40T65UPD is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is a global supplier of power semiconductors. Fairchild Semiconductor specializes in developing innovative technology solutions for power efficiency, energy management, and mobile power. With a focus on sustainability and performance, the company serves a wide range of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
FGH40T65UPD is commonly used in automotive electronic systems, power supplies, motor drives, industrial applications, and renewable energy systems. It is suitable for high-frequency switching applications due to its fast switching speeds and low on-state resistance. -
Package
The FGH40T65UPD chip is a power MOSFET in a TO-247 package. It has a form factor of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and measures 10.4mm x 15.6mm x 4.6mm.
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