Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000FQB12P20TM
P-Channel 200 V 11.5A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Marken: ONSEMI
Herstellerteil #: FQB12P20TM
Datenblatt: FQB12P20TM Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.162 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
FQB12P20TM Allgemeine Beschreibung
Engineered for rugged reliability, this P-channel MOSFET is built to withstand high power levels and temperature extremes. The sturdy construction and robust materials ensure long-term durability and consistent operation over time. With its high voltage rating and current handling capacity, the FQB12P20TM is a versatile and dependable choice for power electronics designers seeking quality components for their projects
Funktionen
- -11.5A, -200V, RDS(on) = 470mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -5.75A
- Low gate charge ( Typ. 31nC)
- Low Crss ( Typ. 30pF)
- 100% avalanche tested
- RoHS Compliant
Anwendung
- Other Industrial
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FQB12P20TM | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Manufacturer Package Code | 418AJ | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 40 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | onsemi | Additional Feature | FAST SWITCHING |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 810 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 200 V |
| Drain Current-Max (ID) | 11.5 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.47 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-263AB |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 245 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 120 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 46 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The FQB12P20TM is a power MOSFET chip designed for high-performance applications such as power supplies, motor control, and inverter systems. It offers low on-state resistance, high switching speed, and low gate charge for efficient power management.
-
Equivalent
The equivalent products of FQB12P20TM chip include IRF3710PBF, IPP60R125CPFD, and MK54N30DN. These chips are similar in performance and can be used as substitutes in various applications requiring a power MOSFET with similar specifications. -
Features
FQB12P20TM is a MOSFET power transistor with a Vds of 200V and a maximum continuous drain current of 12A. It also has a low on-resistance, high switching speed, and is suitable for high-frequency applications. Additionally, it has a compact TO-263 package for easy mounting and heat dissipation. -
Pinout
The FQB12P20TM is a 12A, 200V N-Channel MOSFET transistor. It has a TO-263 (D2PAK) package with 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
Fairchild Semiconductor is the manufacturer of the FQB12P20TM. Fairchild Semiconductor is an American company that specializes in the design and manufacture of power and signal management, logic, discrete, and custom semiconductor solutions. They provide innovative technologies for a wide range of applications in the automotive, industrial, mobile, computing, and consumer markets. -
Application Field
The FQB12P20TM is a MOSFET transistor that is commonly used in high frequency power supplies, DC-DC converters, motor control applications, and automotive systems. With its low on-resistance and high switching speed, it is ideal for applications requiring efficient switching and high power handling capabilities. -
Package
The FQB12P20TM chip comes in a TO-263 package, with a single form factor and a size of 10mm x 10mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
