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$5000FQPF10N60C
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FQPF10N60C
Datenblatt: FQPF10N60C Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FQPF10N60C Allgemeine Beschreibung
ON Semiconductor's FQPF10N60C is a top-of-the-line N-Channel enhancement mode power field effect transistor. Built using the company's proprietary planar stripe DMOS technology, this transistor delivers exceptional performance with its low on-state resistance, superior switching capabilities, and ability to withstand high energy pulses in avalanche and commutation modes. These features make it an ideal choice for applications such as high-efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, and electronic lamp ballasts based on half bridge topology. When you need a reliable and efficient solution for your power system, the FQPF10N60C is the perfect choice
Funktionen
- 9.5 A, 600 V, RDS(on) = 730 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.75 A
- Low Gate Charge (Typ. 44 nC)
- Low Crss (Typ. 18 pF)
- 100% Avalanche Tested
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | Id - Continuous Drain Current | 9.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 730 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | Qg - Gate Charge | 44 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 50 W | Channel Mode | Enhancement |
| Series | FQPF10N60C | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 77 ns |
| Height | 16.3 mm | Length | 10.67 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 69 ns |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 144 ns | Typical Turn-On Delay Time | 23 ns |
| Width | 4.7 mm | Part # Aliases | FQPF10N60C_NL |
| Unit Weight | 0.068784 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FQPF10N60C is a high-performance N-channel MOSFET chip designed for power switching applications. It has a maximum current rating of 10A and a breakdown voltage of 600V, making it suitable for a variety of power supply, motor control, and lighting applications. Additionally, it features a low on-resistance and high switching speeds for efficient operation.
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Equivalent
The equivalent products of FQPF10N60C chip are STF10N60DM2, 10N60C, IRF10N60, and FQP10N60C. These chips have similar specifications and can serve as direct replacements for the FQPF10N60C in various applications. -
Features
FQPF10N60C is a 600V N-Channel MOSFET transistor with a continuous drain current of 10A, low on-resistance of 0.52 ohms, and fast switching speed. It has a TO-220F package, suitable for high power applications such as power supplies, motor control, and inverters. -
Pinout
FQPF10N60C is a MOSFET transistor with 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). It has a pin count of 3 and is typically used for power switching applications due to its low on-resistance and high current handling capability. -
Manufacturer
FQPF10N60C is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is a global semiconductor company specializing in power management, analog and mixed signal technologies. Fairchild Semiconductor provides solutions for a wide range of industries such as automotive, consumer electronics, industrial and telecommunications. They are known for their high-quality products and innovative technologies in the semiconductor industry. -
Application Field
FQPF10N60C is a MOSFET transistor commonly used in power supply applications, motor control, and lighting systems. It can also be found in inverters, converters, and DC-DC converters. Its high voltage and current-handling capabilities make it suitable for switching and amplification in a wide range of electronic devices. -
Package
The FQPF10N60C is a TO-220F package type power MOSFET chip with a form of through-hole mounting. It has a size of 10mm x 16mm x 4.5mm.
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