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FQB55N10TM 48HRS

MOSFET 100V N-Channel QFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: onsemi

Herstellerteil #: FQB55N10TM

Datenblatt: FQB55N10TM Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SC-70-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $1,784 $1,784
10 $1,551 $15,510
30 $1,406 $42,180
100 $1,257 $125,700
500 $1,191 $595,500
800 $1,161 $928,800

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FQB55N10TM Allgemeine Beschreibung

The FQB55N10TM is a high-quality MOSFET that has been specifically engineered to provide superior performance in a variety of applications. Its enhanced technology allows for efficient power delivery, reduced resistance, and reliable switching capabilities. This makes it an ideal choice for projects that require precision control and high power output. Whether you're a hobbyist or a professional, you can trust the FQB55N10TM to deliver the results you need

Funktionen

  • High-voltage rated
  • Low leakage current
  • Excellent thermal performance
  • Robust construction
  • High-reliability

Anwendung

  • Real Estate
  • Media and Publishing
  • Nonprofit Organizations

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: onsemi Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-70-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 55 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 26 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 98 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 3.75 W Channel Mode: Enhancement
Series: FQB55N10 Packaging: MouseReel
Brand: onsemi / Fairchild Configuration: Single
Fall Time: 140 ns Forward Transconductance - Min: 38 S
Height: 4.83 mm Length: 10.67 mm
Product Type: MOSFET Rise Time: 250 ns
Factory Pack Quantity: 800 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 110 ns Typical Turn-On Delay Time: 25 ns
Width: 9.65 mm

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The FQB55N10TM is a high-performance, N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for power management applications. It features a low on-resistance, high current capacity, and high switching speed, making it ideal for use in DC-DC converters, motor control, and other high-power applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of FQB55N10TM chip are: 1. FQPF55N10TM 2. FQD55N10TM 3. FQD60N03LTM These are all power MOSFET transistors that can be used as substitutes for the FQB55N10TM chip in various electronic circuits.
  • Features

    The FQB55N10TM is a 100V N-Channel MOSFET transistor with a maximum current rating of 55A. It features low on-resistance, high transconductance, and a fast switching speed, making it suitable for high-power applications such as motor control, power supplies, and inverters.
  • Pinout

    FQB55N10TM is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are Gate, Drain, and Source. The transistor is designed for use as a switch in power management applications, with a maximum voltage rating of 100V and a continuous drain current of 55A.
  • Manufacturer

    FQB55N10TM is manufactured by Fairchild Semiconductor, a leading global supplier of power semiconductors. Fairchild Semiconductor specializes in the design and manufacture of high-performance power and signal management devices for a wide range of applications including industrial, automotive, and consumer electronics.
  • Application Field

    FQB55N10TM is typically used in applications where high power, efficiency, and reliability are required, such as in power supplies, motor control, lighting, and switch mode power supplies. It can also be used in automotive applications, industrial equipment, and renewable energy systems.
  • Package

    The FQB55N10TM chip comes in a TO-263 package with a TO-263-3 form (D2 Pak) and size dimensions of 10.54mm x 8.94mm x 3.05mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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