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$5000FQB55N10TM
MOSFET 100V N-Channel QFET
Marken: onsemi
Herstellerteil #: FQB55N10TM
Datenblatt: FQB55N10TM Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-70-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $1,784 | $1,784 |
10 | $1,551 | $15,510 |
30 | $1,406 | $42,180 |
100 | $1,257 | $125,700 |
500 | $1,191 | $595,500 |
800 | $1,161 | $928,800 |
Auf Lager: 9.458 Stck
FQB55N10TM Allgemeine Beschreibung
The FQB55N10TM is a high-quality MOSFET that has been specifically engineered to provide superior performance in a variety of applications. Its enhanced technology allows for efficient power delivery, reduced resistance, and reliable switching capabilities. This makes it an ideal choice for projects that require precision control and high power output. Whether you're a hobbyist or a professional, you can trust the FQB55N10TM to deliver the results you need
Funktionen
- High-voltage rated
- Low leakage current
- Excellent thermal performance
- Robust construction
- High-reliability
Anwendung
- Real Estate
- Media and Publishing
- Nonprofit Organizations
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 55 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | Qg - Gate Charge: | 98 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 3.75 W | Channel Mode: | Enhancement |
Series: | FQB55N10 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
Fall Time: | 140 ns | Forward Transconductance - Min: | 38 S |
Height: | 4.83 mm | Length: | 10.67 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 250 ns |
Factory Pack Quantity: | 800 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
Width: | 9.65 mm |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FQB55N10TM is a high-performance, N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for power management applications. It features a low on-resistance, high current capacity, and high switching speed, making it ideal for use in DC-DC converters, motor control, and other high-power applications.
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Equivalent
The equivalent products of FQB55N10TM chip are: 1. FQPF55N10TM 2. FQD55N10TM 3. FQD60N03LTM These are all power MOSFET transistors that can be used as substitutes for the FQB55N10TM chip in various electronic circuits. -
Features
The FQB55N10TM is a 100V N-Channel MOSFET transistor with a maximum current rating of 55A. It features low on-resistance, high transconductance, and a fast switching speed, making it suitable for high-power applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
FQB55N10TM is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are Gate, Drain, and Source. The transistor is designed for use as a switch in power management applications, with a maximum voltage rating of 100V and a continuous drain current of 55A. -
Manufacturer
FQB55N10TM is manufactured by Fairchild Semiconductor, a leading global supplier of power semiconductors. Fairchild Semiconductor specializes in the design and manufacture of high-performance power and signal management devices for a wide range of applications including industrial, automotive, and consumer electronics. -
Application Field
FQB55N10TM is typically used in applications where high power, efficiency, and reliability are required, such as in power supplies, motor control, lighting, and switch mode power supplies. It can also be used in automotive applications, industrial equipment, and renewable energy systems. -
Package
The FQB55N10TM chip comes in a TO-263 package with a TO-263-3 form (D2 Pak) and size dimensions of 10.54mm x 8.94mm x 3.05mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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