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$5000FQD8P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET
Marken: onsemi
Herstellerteil #: FQD8P10TM
Datenblatt: FQD8P10TM Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-252-3,DPAK(2Leads+Tab),SC-63
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.692 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FQD8P10TM Allgemeine Beschreibung
Featuring a cutting-edge design, the FQD8P10TM P-Channel enhancement mode power MOSFET is the perfect choice for engineers and designers in need of a high-performance semiconductor solution. Its unique combination of advanced MOSFET technology and superior construction makes it a versatile and reliable option for a wide range of power management and control applications. Whether it's for audio amplifiers, motor control, or switched mode power supplies, this MOSFET delivers exceptional performance and efficiency
Funktionen
- -6.6A, -100V, RDS(on) = 530mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -3.3A
- Low gate charge ( Typ. 12nC)
- Low Crss ( Typ. 30pF)
- 100% avalanche tested
Anwendung
- LCD TV
- LED TV
- PDP TV
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Series | QFET® | Product Status | Active |
FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-252AA |
Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
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