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$5000FQP90N10V2
FQP90N10V2: High-Performance N-Channel MOSFET in the V2 Series
Marken: onsemi
Herstellerteil #: FQP90N10V2
Datenblatt: FQP90N10V2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.850 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FQP90N10V2 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 100 V 90A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
Funktionen
- 71A, 80V, RDS(on) = 0.016Ω @VGS = 10 V
- Low gate charge ( typical 84 nC)
- Low Crss ( typical 200 pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
- 175°C maximum junction temperature rating
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 45A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 191 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6150 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Package / Case | TO-220-3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The FQP90N10V2 is a high voltage N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for power applications. It has a maximum voltage rating of 100V and can handle currents up to 90A. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and other high-power electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of FQP90N10V2 chip are IRF530N, FQP24N08, STP20N10L, and IXTQ94N10T. These can be used as alternatives for the FQP90N10V2 chip in various applications. -
Features
FQP90N10V2 is a 100V N-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 90A and a low on-resistance of 10mΩ. It is designed for high power applications and offers high efficiency and reliable performance. -
Pinout
The FQP90N10V2 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are the gate (G), drain (D), and source (S). It is used for high power applications due to its low on-resistance and high current capability. -
Manufacturer
The manufacturer of FQP90N10V2 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that specializes in the design and manufacturing of semiconductors and integrated circuits. They provide solutions for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
- Power supplies - Motor control - Inverter circuits - DC-DC converters - Battery management systems - Automotive applications -
Package
The FQP90N10V2 chip is in a TO-220 package, with a form of through-hole and a size of 10mm x 4.5mm.
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