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FQT4N25TF
N-Channel 250 V 830mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Marken: onsemi
Herstellerteil #: FQT4N25TF
Datenblatt: FQT4N25TF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-223-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,461 | $0,461 |
| 10 | $0,361 | $3,610 |
| 30 | $0,312 | $9,360 |
| 100 | $0,264 | $26,400 |
| 500 | $0,217 | $108,500 |
| 1000 | $0,204 | $204,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
FQT4N25TF Allgemeine Beschreibung
Utilizing ON Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology, the FQT4N25TF N-Channel enhancement mode power MOSFET brings a new level of performance to the table. By minimizing on-state resistance and maximizing switching performance and avalanche energy strength, these devices are ideally suited for a variety of uses such as switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts
Funktionen
- High-speed switching capability (Typ. 1MHz)
- Low distortion performance (< 0.01%)
- Silicon nitride passivation for improved reliability
Anwendung
- Digital Camera
- Action Camera
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-223-4 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V | Id - Continuous Drain Current: | 830 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.75 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 5.6 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | FQT4N25 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 22 ns | Forward Transconductance - Min: | 1.28 S |
| Height: | 1.8 mm | Length: | 6.5 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 45 ns |
| Factory Pack Quantity: | 4000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.4 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 6.8 ns |
| Width: | 3.5 mm |
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