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GT20J321

Product GT20J321: IGBT Transistors

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Toshiba

Herstellerteil #: GT20J321

Datenblatt: GT20J321 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220-3 FP

Produktart: IGBT Transistors

RoHS-Status:

Lagerzustand: 6807 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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GT20J321 Allgemeine Beschreibung

The GT20J321 is a high-speed switching N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for use in general-purpose inverter and motor control applications. It features a collector-emitter voltage of 600V and a collector current of 20A, making it suitable for a variety of high-power applications.With a low saturation voltage and fast switching speeds, the GT20J321 offers efficient performance in switching operations. It also features a built-in anti-parallel diode to protect against reverse voltage spikes and enhance the reliability of the device.The GT20J321 comes in a TO-3P package, which provides excellent thermal performance and durability. It is compatible with various mounting techniques and can withstand high-temperature environments, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications.

Funktionen

  • Low on-resistance
  • Low drive power required
  • High-speed switching
  • Enhanced avalanche ruggedness
  • High reliability
  • Low noise and low distortion
  • TO-220F package

Anwendung

  • Switching power supplies
  • Audio amplifiers
  • Lighting applications
  • Motor control systems
  • TV and monitor circuits
  • Automotive electronics
  • Consumer electronics
  • Industrial equipment
  • PC power supplies

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category IGBT Transistors Technology Si
Package / Case TO-220-3 FP Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series GT20J321
Brand Toshiba Continuous Collector Current Ic Max 20 A
Height 8.1 mm Length 10 mm
Product Type IGBT Transistors Subcategory IGBTs
Width 4.5 mm

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The GT20J321 is a power transistor chip designed for audio amplifier applications. It features a high breakdown voltage, low on-state resistance, and high current capability. This chip is commonly used in car audio systems and professional audio equipment to deliver high-quality sound reproduction.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the GT20J321 chip include: NTE2994, 2SC5949, MJE13009G, BU808DFI, and STW20NM50FD.
  • Features

    The GT20J321 is a 200V, 20A N-channel IGBT. It features low saturation voltage, fast switching speed, and high input impedance. It is ideal for power switching applications in various electronic devices and systems.
  • Pinout

    The GT20J321 is a 4-pin insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. It includes pins for the collector, emitter, gate, and collector-emitter current sense. The pin functions are: pin 1 for collector, pin 2 for emitter, pin 3 for gate, and pin 4 for collector-emitter current sense.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the GT20J321 is Toshiba Corporation, a Japanese multinational conglomerate company.
  • Application Field

    The GT20J321 is a power MOSFET commonly used in audio amplifiers and other high-power applications. It is well-suited for applications that require high efficiency and low distortion, making it ideal for use in professional audio equipment, car audio systems, and high-fidelity audio amplifiers.
  • Package

    The GT20J321 chip is a package type known as TO-220F, which is a common through-hole package with three leads. Its form factor is known as Flange. The package size is about 10.16mm x 15.75mm x 4.58mm.

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