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$5000ADI HMC536LP2E
RF Switch IC WiMAX / WiBro SPDT 6 GHz 50Ohm 6-DFN (2x2)
Marken: Analog Devices
Herstellerteil #: HMC536LP2E
Datenblatt: HMC536LP2E Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: HCP-6-1
Produktart: RF Switches
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.155 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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HMC536LP2E Allgemeine Beschreibung
This switch also offers exceptional power handling capabilities up to 6 GHz, with a P0.1dB compression point of +29 dBm at +3V and +33 dBm at +5V control. The on-chip circuitry enables positive voltage control of 0/+3V or 0/+5V at very low DC currents, providing flexibility and ease of integration into existing systems. Additionally, the HMC536LP2(E) takes up only 4 mm² of board space, making it an ideal solution for applications where size is a critical factor
Funktionen
- Input Impedance: 50 Ω
- Output Impedance: 50 Ω
- Voltage Range: ±20V
Anwendung
- Automotive Telematics
- Internet of Things
- Smart City Solutions
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | RF Switch ICs | RoHS | Details |
| Switch Configuration | SPDT | Minimum Frequency | 0 Hz |
| Maximum Frequency | 6 GHz | Insertion Loss | 1 dB |
| Off Isolation - Typ | 29 dB | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature | + 85 C | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DFN-6 | Technology | GaAs |
| Series | HMC536 | Brand | Analog Devices |
| High Control Voltage | 3 V to 5 V | Number of Switches | Dual |
| Pd - Power Dissipation | 860 mW | Product Type | RF Switch ICs |
| Factory Pack Quantity | 500 | Subcategory | Wireless & RF Integrated Circuits |
| Unit Weight | 0.000744 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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HMC536LP2E is a high-performance gallium arsenide (GaAs) MMIC switch chip designed for use in high-frequency applications. It offers low insertion loss and high isolation, making it ideal for applications requiring fast switching between multiple signal paths. The chip operates from DC to 6 GHz and is housed in a compact 6-lead QFN package.
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Equivalent
The equivalent products of HMC536LP2E chip are HMC816ALP6E and HMC874LC3B from Analog Devices. These chips are monolithic microwave integrated circuits (MMIC) which offer similar functionality and performance as the HMC536LP2E chip for RF and microwave applications. -
Features
The HMC536LP2E is a GaAs MMIC low-noise distributed amplifier with a frequency range of 12 GHz to 30 GHz, a gain of 11 dB, and a noise figure of 1.3 dB. It has a compact 2x2 mm surface-mount package and requires a single positive supply voltage. -
Pinout
The HMC536LP2E is a GaAs MMIC passive double balanced mixer with an integrated LO amplifier. It has a pin count of 8 with functions including RF, LO, IF, and DC bias. This mixer is suitable for frequency upconversion and downconversion applications in high frequency communication systems. -
Manufacturer
Analog Devices is the manufacturer of HMC536LP2E. It is a multinational semiconductor company specializing in data conversion and signal processing technology. Founded in 1965, Analog Devices is headquartered in Norwood, Massachusetts, United States. The company provides a wide range of products for industrial, automotive, communication, and consumer markets. -
Application Field
The HMC536LP2E is a low noise amplifier designed for applications in cellular base stations, repeaters, communication systems, and test equipment. It provides high linearity and low noise figure, making it suitable for use in radio frequency and microwave systems that require low noise amplification. -
Package
The HMC536LP2E chip is a surface mount package type in the leadless leadframe chip scale package (LFCSP), with a form factor of 3 mm x 3 mm.
Datenblatt PDF
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