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HUFA75321D3ST 48HRS

N-Channel 55 V 20A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount TO-252AA

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: onsemi

Herstellerteil #: HUFA75321D3ST

Datenblatt: HUFA75321D3ST Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-252AA

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7.288 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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HUFA75321D3ST Allgemeine Beschreibung

These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drives, relay drivers, low-voltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.
Formerly developmental type TA75321

Funktionen

  • 20A, 55V
  • Simulation Models
     - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models
      - SPICE and SABER Thermal Impedance Models
  • Peak Current vs Pulse Width Curve
  • Related Literature
     - TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”
  • UIS Rating Curve
  • RoHS Compliant
  • Qualified to AEC Q101

Anwendung

  • Infotainment
  • Portable Navigation
  • Other
  • Power Train
  • Safety and Control
  • Comfort and Convenience
  • Body Electronics
  • Vehicle Security Systems
  • Other Automotive

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer onsemi Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 55 V Id - Continuous Drain Current 20 A
Rds On - Drain-Source Resistance 36 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V Qg - Gate Charge 36 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 93 W Channel Mode Enhancement
Series HUFA75321D3S Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 66 ns
Height 2.39 mm Length 6.73 mm
Product Type MOSFET Rise Time 55 ns
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 47 ns Typical Turn-On Delay Time 11 ns
Width 6.22 mm Part # Aliases HUFA75321D3ST_NL
Unit Weight 0.011640 oz

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