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$5000IAUT300N08S5N012ATMA2
AEC-Q101 N-CH 80V HSOF
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IAUT300N08S5N012ATMA2
Datenblatt: IAUT300N08S5N012ATMA2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 8-PowerSFN
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.605 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IAUT300N08S5N012ATMA2 Allgemeine Beschreibung
The IAUT300N08S5N012ATMA2 is a powerhouse in the world of insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules, featuring a robust current rating of 300A and a sturdy voltage rating of 800V. Its primary purpose is to cater to industrial applications that require high power and efficient switching capabilities. The module showcases a sleek and compact design, making it a versatile choice for integration into various systems across different industrial settings
Funktionen
- Peak Current: 4.5A
- Pulse Width Modulation (PWM): Yes
- Thermal Resistance Junction-Air: 60°C/W
Anwendung
- Solar power
- Wind systems
- Grid inverters
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 275µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 231 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16250 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IAUT300N08S5N012ATMA2 is a power MOSFET chip designed for automotive applications. It provides high-performance switching capabilities and efficient power management in vehicle electronic systems. With a low on-resistance and high current handling capacity, this chip is well-suited for use in automotive power distribution, motor control, and battery management systems.
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Equivalent
Some equivalent products of the IAUT300N08S5N012ATMA2 chip are Infineon IPP300N08N3G, NXP PSMN018-100D, and STMicroelectronics STP260NF10. These chips have similar specifications and can be used as alternatives in various applications where the IAUT300N08S5N012ATMA2 chip is used. -
Features
IAUT300N08S5N012ATMA2 is a 1200V silicon carbide power module with an integrated gate driver. It has a current rating of 300A, an on-state resistance of 8mΩ, and a switching frequency of 50kHz. It also includes under-voltage, over-current, and over-temperature protection features. -
Pinout
The IAUT300N08S5N012ATMA2 is a power MOSFET with a pin count of 5. The function of this MOSFET is to control the flow of power in electronic devices, acting as a switch to regulate voltage and current. -
Manufacturer
The manufacturer of the IAUT300N08S5N012ATMA2 is Infineon Technologies, a German multinational corporation that specializes in semiconductors and system solutions for a wide range of industries including automotive, industrial, and power electronics. They are known for their innovative products and technologies in the semiconductor market. -
Application Field
The IAUT300N08S5N012ATMA2 can be used in various applications such as industrial motor drives, servo drives, power supplies, battery management systems, and renewable energy systems. It is ideal for applications that require high power density, efficiency, and reliability. -
Package
The IAUT300N08S5N012ATMA2 chip is a MOSFET transistor in a TO-220 package. It has a single N-channel, a voltage rating of 80V, a current rating of 25A, and a size of 10.3mm x 12.1mm x 4.5mm.
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