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$5000IMW65R027M1H
Reliable and efficient power electronic component for industrial us
Marken: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Herstellerteil #: IMW65R027M1H
Datenblatt: IMW65R027M1H Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.997 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $44,944 | $44,944 |
200 | $17,393 | $3478,600 |
500 | $16,782 | $8391,000 |
1000 | $16,479 | $16479,000 |
Auf Lager: 9.997 Stck
IMW65R027M1H Allgemeine Beschreibung
In summary, the IMW65R027M1H is a game-changer in the realm of GaN power transistors. Its high breakdown voltage, low on-state resistance, fast switching speed, and durable design make it a standout choice for any high-speed switching application. Whether you are looking to enhance the efficiency of your power supply, adapter, or charger, or seeking a reliable component for a demanding environment, the IMW65R027M1H delivers unmatched performance and reliability
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
Additional Feature | HIGH RELIABILITY | Avalanche Energy Rating (Eas) | 326 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 650 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 47 A |
Drain Current-Max (ID) | 47 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.034 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 22 pF |
JEDEC-95 Code | TO-247 | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 189 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 185 A | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Transistor Application | SWITCHING |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. | |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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