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$5000Infineon IMZ120R030M1HXKSA1
Product IMZ120R030M1HXKSA1 is a N Channel TO-247-4-1 MOSFET with a voltage rating of 1
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IMZ120R030M1HXKSA1
Datenblatt: IMZ120R030M1HXKSA1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-4
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IMZ120R030M1HXKSA1 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | SiC |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-4 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 7 V, + 23 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V | Qg - Gate Charge: | 63 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | CoolSiC | Series: | IMZ120R030 |
| Packaging: | Tube | Brand: | Infineon Technologies |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 11.5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 11.6 ns | Factory Pack Quantity: | 240 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17.3 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 7.7 ns |
| Part # Aliases: | IMZ120R030M1H SP001727394 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IMZ120R030M1HXKSA1 chip is a semiconductor device used for various applications such as power management and voltage regulation in electronic devices. It is designed to provide efficient and reliable performance with low power consumption. The chip integrates multiple features and functions, making it suitable for a wide range of applications in different industries.
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Features
IMZ120R030M1HXKSA1 is an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module. It features high current capability, low power loss, and low saturation voltage. It operates at a voltage of 1200V, a current rating of 30A, and has a built-in temperature sensor for thermal monitoring. -
Pinout
The IMZ120R030M1HXKSA1 does not have a standard pin count as it refers to a specific part number for an electronic component. The specific pin count and function would depend on the datasheet and technical specifications provided by the manufacturer. -
Manufacturer
The manufacturer of the IMZ120R030M1HXKSA1 is Infineon Technologies AG. It is a multinational semiconductor and system solutions company. -
Application Field
The IMZ120R030M1HXKSA1 is a power module primarily used in motor control applications, particularly in the automotive industry. It is designed to provide high power density with high efficiency and reliability, making it suitable for electric and hybrid electric vehicles, as well as other industrial and consumer applications that require efficient motor control. -
Package
The IMZ120R030M1HXKSA1 chip has a package type of D²PAK, a form of Integrated Circuit (IC), and a size of 10.3x17.8 mm.
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