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Infineon IPD105N03LG

PG-TO252-3-11 Surface Mount MOSFET, 30V N-Channel with 35A Drain Current

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: IPD105N03LG

Datenblatt: IPD105N03LG Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-252-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3.993 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPD105N03LG Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 35A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

ipd105n03lg

Funktionen

  • Drain-source voltage (Vds) rating of 30V
  • Continuous drain current (Id) rating of 75A
  • Low on-resistance (Rds(on)) of 1.3 milliohms
  • Fast switching speed
  • Avalanche rated for ruggedness and reliability

Anwendung

  • DC-DC converters
  • Load switches
  • Motor control circuits
  • Power supplies
  • LED lighting

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 35 A Rds On - Drain-Source Resistance 15.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 38 W
Channel Mode Enhancement Tradename OptiMOS
Brand Infineon Technologies Configuration Single
Fall Time 2.4 ns Height 2.3 mm
Length 6.5 mm Product Type MOSFET
Rise Time 14 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 14 ns Typical Turn-On Delay Time 3.7 ns
Width 6.22 mm Part # Aliases SP000254717 IPD105N03LGBTMA1
Unit Weight 0.011640 oz

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

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  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Äquivalente Teile

Für den IPD105N03LG Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:

Artikelnummer

Marken

Paket

Beschreibung

Artikelnummer :   IRF6635

Marken :  

Paket :   SOP-8

Beschreibung :   Trans MOSFET N-CH 30V 32A 7Pin Direct-FET MX

Artikelnummer :   FDS8958A

Marken :  

Paket :   SOP-8

Beschreibung :   Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC N T/R

Artikelnummer :   SI7636DP-T1-GE3

Marken :   Vishay

Paket :  

Beschreibung :  

Artikelnummer :   FDMC6675BZ

Marken :  

Paket :  

Beschreibung :   (Fairchild Semiconductor)

Artikelnummer :   PSMN3R0-30YLD

Marken :  

Paket :   LFPAK56

Beschreibung :   N-channel 30 V, 3.0 m logic level MOSFET

Teilpunkte

  • The IPD105N03LG is a power MOSFET chip used in electronic devices and circuits. It is designed to handle higher currents and voltages efficiently with low resistance. This chip is commonly used in applications such as power supplies, motor drivers, and amplifiers.

  • Features

    The IPD105N03LG is a power MOSFET with a drain-source voltage rating of 30V and a continuous drain current of 100A. It features low on-resistance, high current capacity, and fast switching speeds. The MOSFET is designed for use in various power management applications.

  • Pinout

    The IPD105N03LG is a power MOSFET transistor with a TO-252 package (3-pin) configuration. It has a pin count of 3, consisting of the gate, drain, and source pins. The MOSFET is primarily used as a switching device for a variety of applications in power electronics and can handle high current and voltage levels.

  • Manufacturer

    The manufacturer of the IPD105N03LG is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company specializing in the development and production of advanced power components and systems.

  • Application Field

    The IPD105N03LG is a power MOSFET commonly used in applications such as battery-powered devices, motor control, and power management circuits. It is suitable for low voltage and low power applications due to its low on-resistance and high current capacity.

  • Package

    The packaging type of the IPD105N03LG chip is D2PAK. Its form refers to the physical arrangement and structure, which is a single component. In terms of size, the package has a dimension of approximately 10.6mm x 14.2mm x 4.9mm.

SPW47N60CFD

SPW47N60C3

SPW35N60CFD

SPW32N50C3

SPW20N60S5

SPW17N80C3

SPW15N60C3

SPP24N60C3

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation IPD105N03LG PDF Herunterladen

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