Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

Infineon IPD350N06L G

50N06L G, Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R":

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: IPD350N06L G

Datenblatt: IPD350N06L G Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-252-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für IPD350N06L G oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

IPD350N06L G Allgemeine Beschreibung

Housed in a TO-252 package, this transistor provides not only thermal efficiency but also easy mounting on a PCB, making it a convenient option for a wide range of applications. Constructed using a trench semiconductor process, it boasts low gate charge and fast switching speeds, enhancing its overall functionality

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-252-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 29 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 35 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V Qg - Gate Charge: 10 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 68 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: OptiMOS Series: OptiMOS 2
Packaging: MouseReel Brand: Infineon Technologies
Configuration: Single Fall Time: 20 ns
Height: 2.3 mm Length: 6.5 mm
Product Type: MOSFET Rise Time: 21 ns
Factory Pack Quantity: 2500 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 29 ns
Typical Turn-On Delay Time: 6 ns Width: 6.22 mm
Part # Aliases: IPD35N6LGXT SP000443746 IPD350N06LGBTMA1 Unit Weight: 0.139332 oz
Series OptiMOS™ Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 28µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max) 68W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PG-TO252-3
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • IRF4905PBF

    IRF4905PBF

    Infineon Technologies

    The IRF4905PBF is a power-efficient P-channel MOSF...

  • IRF3710

    IRF3710

    Infineon

    Power Field-Effect Transistor with 57A I(D)

  • IRF6619

    IRF6619

    Infineon

    20V MOSFET with 2.2mΩ resistance at 30A

  • BUP314D

    BUP314D

    Infineon

    42A I(C), 1200V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Tr...

  • BSM50GX120DN2

    BSM50GX120DN2

    Infineon

    Integrated Circuit Dual 4X1 16TSSOP Multiplexer

  • SPW47N65C3

    SPW47N65C3

    Infineon

    Discover unparalleled quality and innovation in th...