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$5000Infineon IPT004N03LATMA1
High-power N-channel MOSFET suitable for automotive use
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: IPT004N03LATMA1
Datenblatt: IPT004N03LATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: HSOF-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.217 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPT004N03LATMA1 Allgemeine Beschreibung
Meet the IPT004N03LATMA1 MOSFET transistor, a robust component designed for high-performance applications. Featuring a N-Channel design, this transistor boasts a maximum drain source voltage of 30V and a continuous drain current of 300A, providing reliable power delivery. With an on resistance of 370µohm and a threshold voltage of 2.2V, this transistor offers efficient operation with minimal power loss. The power dissipation of 300W ensures stable performance even under heavy loads, while the PG-HSOF-8 case style and 8 pins allow for easy integration into existing circuit designs. Operating at a maximum temperature of 150°C, this transistor is part of the OptiMOS series, known for its superior quality and performance
Funktionen
- Industry‘s lowest R DS(on)
- Highest current capability >480A
- Very low package parasitics and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- System cost reduction
- Enabling very compact design
Anwendung
- Point-of-load (POL)
- Telecom
- efuse
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Verpackung
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IPT004N03LATMA1 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high efficiency and reliability in automotive applications. It features a low on-resistance and high current capability, making it ideal for use in power management circuits in vehicles.
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Equivalent
Some equivalent products of IPT004N03LATMA1 chip are IPT004N03LATMA1-ND, AUIPS7131RTR, IRF4905PBF, and HIN3131A. These chips all have similar specifications and can be used as alternatives in various electronic applications. -
Features
IPT004N03LATMA1 is a power MOSFET with a drain-source breakdown voltage of 30V and a maximum drain current of 100A. It has a low on-state resistance for efficient power handling. It is designed for use in applications such as power supplies, DC-DC converters, and motor control. -
Pinout
The IPT004N03LATMA1 is a dual N-channel power MOSFET with a pin count of 8 (4 pins per channel). The functions include switching and amplifying electrical signals in electronic devices, such as power supplies and motor control applications. -
Manufacturer
IPT004N03LATMA1 is manufactured by Infineon Technologies AG. Infineon is a German semiconductor manufacturer specializing in a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. The company serves various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics with a focus on energy efficiency, sustainability, and innovation. -
Application Field
IPT004N03LATMA1, a MOSFET transistor, is commonly used in power management applications such as voltage regulators, DC-DC converters, motor control, and automotive systems. Its high efficiency and low power consumption make it ideal for various electronic devices and systems that require precise power control and management. -
Package
The IPT004N03LATMA1 chip is in a DFN-8 package, with a form factor of surface mount and a size of 3.3mm x 3.3mm.
Datenblatt PDF
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