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$5000Infineon IPT026N10N5ATMA1
MOSFET featuring Trench technology for voltages greater than 100V
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: IPT026N10N5ATMA1
Datenblatt: IPT026N10N5ATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-HSOF-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.612 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPT026N10N5ATMA1 Allgemeine Beschreibung
As a testament to its commitment to sustainability, Infineon Technologies has designed the IPT026N10N5ATMA1 to be compatible with lead (Pb)-free soldering processes and compliant with RoHS requirements, aligning with current environmental regulations. This makes it a responsibly manufactured option for businesses and industries striving to minimize their environmental impact
Funktionen
- Optimized for synchronous rectification
- Ideal for high switching frequency
- Output capacitance reduction of up to 44%
- R DS(on) reduction of up to 43% from previous generation
- Highest system efficiency
- Reduced switching and conduction losses
- Less paralleling required
- Increased power density
- Low voltage overshoot
Anwendung
- Telecom
- Server
- Solar
- Low voltage drives
- Light electric vehicles
- Adapter
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Manufacturer: | Infineon |
| Product Category: | MOSFET | RoHS: | Details |
| Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOF-8 | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 202 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.6 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |
| Qg - Gate Charge: | 96 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 214 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 13 ns | Forward Transconductance - Min: | 105 S |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 11 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns | Part # Aliases: | IPT026N10N5 SP003883420 |
| Unit Weight: | 0.027197 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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