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$5000Infineon IPT059N15N3ATMA1
N-Channel Power MOSFET with 150V Voltage Rating and 155A Current Rating in High-Speed Outline Flat Package
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: IPT059N15N3ATMA1
Datenblatt: IPT059N15N3ATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: HSOF-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.456 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPT059N15N3ATMA1 Allgemeine Beschreibung
The IPT059N15N3ATMA1 is a groundbreaking product that offers unparalleled performance for high current applications. With its innovative TO-Leadless package design, this product is specifically tailored for use in demanding industries such as forklifts, light electric vehicles, point-of-load systems, and telecom infrastructure. This package boasts industry-leading efficiency, exceptional EMI performance, and superior thermal management capabilities. The benefits of using this product are extensive, including reduced need for paralleling and cooling, increased system reliability, cost savings, and the ability to create compact designs. Whether you are in the market for high-power semiconductors for forklifts, electric vehicles, point-of-load applications, or telecom equipment, the IPT059N15N3ATMA1 is the ideal solution for your needs
Funktionen
- High isolation voltage
- Reduced power consumption
- Improved surge withstand capability
- Suitable for industrial control systems
Anwendung
- Powerful electric motors
- Efficient energy conversion
- Advanced battery technology
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Series | OptiMOS™ |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 155A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 150A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200 pF @ 75 V | Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 | Package / Case | 8-PowerSFN |
| Base Product Number | IPT059 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The IPT059N15N3ATMA1 chip is a power MOSFET designed for use in automotive applications. It features a low on-resistance, high switching speed, and high power density. This chip is ideal for use in power management and control systems in vehicles.
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Equivalent
The equivalent products of the IPT059N15N3ATMA1 chip are IXTN190N10T2 and IPT059N10N3ATMA1. These chips are both N-channel MOSFETs with similar specifications, including a gate threshold voltage of 2.4V and a maximum continuous drain current of 59A. -
Features
- High energy efficiency - 1500 V avalanche rated - Fast switching speed - Low on-resistance - High power density - High current capability - Excellent thermal performance. -
Pinout
The IPT059N15N3ATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. It is typically used in power supply and motor control applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IPT059N15N3ATMA1. Infineon is a German semiconductor manufacturer specializing in a wide range of products for industries such as automotive, industrial, and electronics. They are known for their expertise in power semiconductors, microcontrollers, and sensors. -
Application Field
The IPT059N15N3ATMA1 is a power MOSFET suitable for various applications such as power supplies, motor control, inverters, and lighting. It can be used in industrial, automotive, and consumer electronics applications that require high efficiency and reliability. -
Package
The IPT059N15N3ATMA1 chip is a TO-220 Full-Pack package type, with a form factor of through-hole mounting. It has a size of 10.5mm x 14mm x 4.5mm.
Datenblatt PDF
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