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$5000Infineon IPT111N20NFDATMA1
MOSFETs Tape and Reel Differentiated
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: IPT111N20NFDATMA1
Datenblatt: IPT111N20NFDATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-HSOF-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.844 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPT111N20NFDATMA1 Allgemeine Beschreibung
The IPT111N20NFDATMA1 power MOSFET from Infineon is the ideal choice for automotive applications requiring high performance and reliability. With a voltage rating of 200V and a continuous drain current of 111A, this MOSFET can handle a variety of power requirements in automotive systems such as power steering and electric vehicle applications. Its low on-state resistance of 1.2mΩ ensures efficient power delivery and minimal heat generation, making it a cost-effective solution for automotive power management
Funktionen
- Industry‘s lowest R DS(on)
- Highest current capability >480A
- Very low package parasitics and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- System cost reduction
- Enabling very compact design
Anwendung
- Point-of-load (POL)
- Telecom
- efuse
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PG-HSOF-8 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | Id - Continuous Drain Current: | 96 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.1 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 10 V | Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
| Packaging: | Reel | Series: | OptiMOS Fast Diode |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Brand: | Infineon Technologies |
| Forward Transconductance - Min: | 82 S | Fall Time: | 13 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 11 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Part # Aliases: | IPT111N20NFD SP001340384 | Unit Weight: | 0.002293 oz |
| Tags | IPT1, IPT | RHoS | yes |
| PBFree | yes |
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|---|---|---|---|
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The selection of components was lacking, but the quality was decent.