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Infineon IPT60R028G7XTMA1 48HRS

High-voltage, high-current MOSFET transistor for demanding tasks

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies Corporation

Herstellerteil #: IPT60R028G7XTMA1

Datenblatt: IPT60R028G7XTMA1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: PG-HSOF-8

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3.627 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $13,960 $13,960
200 $5,402 $1080,400
500 $5,213 $2606,500
1000 $5,119 $5119,000

Auf Lager: 3.627 Stck

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IPT60R028G7XTMA1 Allgemeine Beschreibung

In the realm of high-power electronics, the IPT60R028G7XTMA1 MOSFET stands out as a superior component for demanding applications. With a N channel design, this MOSFET boasts a impressive drain source voltage of 600V and a continuous drain current of 75A, making it a reliable choice for high-power circuits. Its surface mount Hsof-8 package enables easy integration into circuit boards, ensuring efficient heat dissipation. The Rds(On) test voltage of 10V guarantees low power loss and high performance, while the gate source threshold voltage max of 4V provides precise control over the switching characteristics. Furthermore, this MOSFET is RoHS compliant, underscoring its commitment to environmentally responsible manufacturing processes

Funktionen

  • Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G
  • Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint
  • Inbuilt 4 th pin Kelvin source configuration and low parasitic source inductance (~1nH)
  • Is MSL1 compliant, total Pb-free, has easy visual inspection grooved leads
  • Enables improved thermal performance R th
  • Higher efficiency due to the improved C7 Gold technology and faster switching due to the package low parasitic source inductance and the 4pin Kelvin source concept
  • Improved power density due to low R DS(on) in small footprint, by either replacing TO-packages (height restrictions) or paralleling SMD packages due to thermal or R DS(on) requirements
  • Production cost reduction by moving to SMD through quicker assembly times

Anwendung

  • Telecom
  • Server
  • Solar
  • Industrial SMPS

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Y Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: HSOF-8
Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V Id - Continuous Drain Current: 75 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 28 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 123 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 391 W Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement Packaging: Reel
Series: CoolMOS G7 Brand: Infineon Technologies
Fall Time: 2.8 ns Product Type: MOSFET
Rise Time: 9 ns Factory Pack Quantity: 2000
Subcategory: MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time: 100 ns
Typical Turn-On Delay Time: 28 ns Part # Aliases: IPT60R028G7 SP001579312
Tags IPT60R028, IPT60R02, IPT60R0, IPT60, IPT6, IPT RHoS yes
PBFree yes

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Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation IPT60R028G7XTMA1 PDF Herunterladen

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