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$5000Infineon IPT60R125G7XTMA1
Power MOSFET N-Channel Transistor for High-Speed Applications
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Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: IPT60R125G7XTMA1
Datenblatt: IPT60R125G7XTMA1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-HSOF-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.875 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPT60R125G7XTMA1 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Funktionen
- Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G
- Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint
- Inbuilt 4 th pin Kelvin source configuration and low parasitic source inductance (~1nH)
- Is MSL1 compliant, total Pb-free, has easy visual inspection grooved leads
- Enables improved thermal performance R th
- Higher efficiency due to the improved C7 Gold technology and faster switching due to the package low parasitic source inductance and the 4pin Kelvin source concept
- Improved power density due to low R DS(on) in small footprint, by either replacing TO-packages (height restrictions) or paralleling SMD packages due to thermal or R DS(on) requirements
- Production cost reduction by moving to SMD through quicker assembly times
Anwendung
- Telecom
- Server
- Solar
- Industrial SMPS
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Y | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | HSOF-8 |
Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 108 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 27 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 120 W | Configuration: | Single |
Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Reel |
Series: | CoolMOS G7 | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Brand: | Infineon Technologies | Fall Time: | 5 ns |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 5 ns |
Factory Pack Quantity: | 2000 | Subcategory: | MOSFETs |
Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
Part # Aliases: | IPT60R125G7 SP001579334 | Tags | IPT60R1, IPT60, IPT6, IPT |
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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