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Infineon IPW65R070C6
ROHS compliant 650V MOSFET with 53.5A current rating
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IPW65R070C6
Datenblatt: IPW65R070C6 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.837 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $18,985 | $18,985 |
| 200 | $7,347 | $1469,400 |
| 500 | $7,090 | $3545,000 |
| 1000 | $6,961 | $6961,000 |
Auf Lager: 7.837 Stck
IPW65R070C6 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 650 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Funktionen
- Extremely low losses due to very low FOM RdsonQg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC1)
- Pb-free plating, Halogen free mold compound
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Infineon | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | Id - Continuous Drain Current | 53.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 63 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 170 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 391 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | CoolMOS | Series | CoolMOS C6 |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
| Fall Time | 6 ns | Height | 21.1 mm |
| Length | 16.13 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 17 ns | Factory Pack Quantity | 240 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 90 ns | Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
| Width | 5.21 mm | Part # Aliases | SP000745034 IPW65R7C6XK IPW65R070C6FKSA1 |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IPW65R070C6 is a power MOSFET transistor chip designed for use in high-power applications such as motor control and power supplies. It offers low on-resistance and high frequency capabilities, making it ideal for efficient power switching. The chip also features a compact design for easy integration into electronic circuits.
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Equivalent
The equivalent products of IPW65R070C6 chip are IPP60R070C6 and IPW60R070C6 from Infineon Technologies. These chips are also power MOSFET transistors with similar specifications and applications. -
Features
- 650V N-channel MOSFET - Suitable for high power applications - Low RDS(on) of 0.07 ohms - Enhanced ESD protection - Improved switching performance - Ideal for use in industrial and automotive applications -
Pinout
The IPW65R070C6 is a power MOSFET with a pin count of 5. The function of this device is to provide high voltage switching capabilities for power supply, motor control, and lighting applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the IPW65R070C6. It is a German semiconductor manufacturer specializing in the production of power semiconductors, microcontrollers, and sensors for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. Infineon Technologies is known for its innovative solutions in power management, security, and connectivity. -
Application Field
The IPW65R070C6 is commonly used in applications such as high-frequency inverters, motor control, and DC/DC converters. It is also suitable for use in power supplies, UPS systems, and solar inverters. With its low on-state resistance and high switching speed, the IPW65R070C6 is ideal for demanding power electronics applications. -
Package
The IPW65R070C6 chip is a transistor packaged in a TO-247 form with a size of 41.5mm x 12.6mm and a height of 33.5mm.
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