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$5000Infineon IRF3717
Powerful component for advanced power management solutio
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: IRF3717
Datenblatt: IRF3717 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SO-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.773 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRF3717 Allgemeine Beschreibung
The IRF3717 power MOSFET transistor is engineered to meet the demands of modern power applications, offering robust power handling capabilities and exceptional efficiency. With a drain-source voltage (VDS) rating of 30 volts and a drain current (ID) rating of 43 amperes, it is well-equipped to handle high-power requirements with ease. The low on-resistance (RDS(on)) of typically 0.022 ohms ensures minimal power dissipation and high efficiency in power circuits, making it an ideal choice for energy-conscious designs
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Moisture Sensitivity Level | 1 | Package | SO-8 |
Polarity | N | VDS max | 20.0 V |
Mounting | SMD | Ptot max | 2.5 W |
RthJA max | 50.0 K/W | VGS max | 20.0 V |
RDS (on) max | 5.7 mΩ | VGS(th) max | 2.45 V |
VGS(th) min | 1.55 V | ID max | 20.0 A |
Series | HEXFET® | Product Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2890 pF @ 10 V |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-SO |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Datenblatt PDF
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