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Infineon IRFR3411PBF
411PBF, is designed with a single N-channel HEXFET configuration, providing a low on-resistance of 44mOhms and a gate charge of 48nC
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IRFR3411PBF
Datenblatt: IRFR3411PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-252-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,869 | $0,869 |
200 | $0,348 | $69,600 |
500 | $0,336 | $168,000 |
1000 | $0,329 | $329,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IRFR3411PBF Allgemeine Beschreibung
The IRFR3411PBF is a high-performance Power Field-Effect Transistor designed for a wide range of applications. With a maximum current rating of 32A and a voltage rating of 100V, this N-Channel MOSFET is capable of handling high-power loads with ease. The low on-resistance of 0.044ohm ensures efficient power delivery, while the TO-252AA package provides excellent thermal performance
Funktionen
- Dynamic dV/dt Rating
- Repetitive Avalanche Rated
- Surface Mount (IRFR320/SiHFR320)
- Straight Lead (IRFU320/SiHFU320)
- Available in Tape and Reel
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
- Lead (Pb)-free Available
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 44 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Qg - Gate Charge: | 48 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 130 W |
Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Tube |
Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
Fall Time: | 35 ns | Height: | 2.3 mm |
Length: | 6.5 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 35 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | HEXFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns | Width: | 6.22 mm |
Part # Aliases: | SP001560590 |
Versand
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