Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

Infineon IRFR3806TRPBF 48HRS

MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: IRFR3806TRPBF

Datenblatt: IRFR3806TRPBF Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-252-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7.524 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,695 $0,695
10 $0,583 $5,830
30 $0,526 $15,780
100 $0,471 $47,100
500 $0,349 $174,500
1000 $0,332 $332,000

Auf Lager: 7.524 Stck

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für IRFR3806TRPBF oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

IRFR3806TRPBF Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

IRFR3806TRPBF

Funktionen

  • IRFR3806TRPBF Product Information
  • Voltage Rating: Up to 60V DC
  • Current Rating: Up to 10A
  • Fast Switching Speed for High Efficiency
  • Suitable for Power Electronic Applications
  • Compliant with ISO 9001 Standard

Anwendung

  • Lighting system designs
  • Audio amplifier circuits
  • Battery charger systems

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer Infineon Product Category MOSFET
RoHS Details REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case DPAK-3 (TO-252-3) Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 43 A Rds On - Drain-Source Resistance 12.6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.8 V
Qg - Gate Charge 22 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 71 W
Channel Mode Enhancement Brand Infineon Technologies
Configuration Single Height 2.3 mm
Length 6.5 mm Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 2000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Width 6.22 mm
Unit Weight 0.011640 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IRFR3806TRPBF is a power MOSFET transistor designed for high efficiency in power management applications. It has a low on-state resistance, making it ideal for use in switch-mode power supplies and motor control circuits. This chip is capable of handling high power levels while maintaining low thermal resistance, making it a reliable choice for demanding electronic designs.
  • Equivalent

    Equivalent products of IRFR3806TRPBF chip are Infineon IRLR3802TRPBF, Fairchild FDP5800 and NXP PH21NQ060T.
  • Features

    1. N-channel power MOSFET 2. Low on-resistance of 11.5mΩ 3. Continuous drain current of 82A 4. Avalanche energy rating of 260mJ 5. Suitable for automotive and industrial applications
  • Pinout

    IRFR3806TRPBF is a Power MOSFET transistor with a TO-252 package, also known as DPAK. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. This N-channel MOSFET is commonly used in high-current applications such as power supplies and motor control circuits.
  • Manufacturer

    IRFR3806TRPBF is manufactured by Infineon Technologies AG, which is a German semiconductor manufacturing company. Infineon produces power semiconductors, integrated circuits, and sensors for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. The company is a major player in the global semiconductor industry, known for its high-quality products and innovative technologies.
  • Application Field

    IRFR3806TRPBF is commonly used in various applications such as power supplies, motor control, LED driver circuits, and battery management systems. It is also widely used in industrial and automotive applications due to its high power handling capability and low on-state resistance.
  • Package

    The IRFR3806TRPBF chip is in a TO-252 package, also known as DPAK. It is in a surface mount form and has a size of 6.6mm x 9.0mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • IPD30N10S3L-34

    IPD30N10S3L-34

    Infineon

    Automotive-grade N-channel transistor MOSFET with ...

  • BUP314D

    BUP314D

    Infineon

    42A I(C), 1200V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Tr...

  • BSM50GX120DN2

    BSM50GX120DN2

    Infineon

    Integrated Circuit Dual 4X1 16TSSOP Multiplexer

  • SPW47N65C3

    SPW47N65C3

    Infineon

    Discover unparalleled quality and innovation in th...

  • SPW47N60CFD

    SPW47N60CFD

    Infineon

    TO-247 MOSFET, 600V N-channel, 46A Continuous Drai...

  • SPW47N60C3

    SPW47N60C3

    Infineon

    SPW47N60C3: Transistor, unipolar N-MOSFET, 650V, 4...