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$5000Infineon IRFR5305PBF
Infineon IRFR5305PBF P-channel MOSFET Transistor 55V 31A DPAK
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IRFR5305PBF
Datenblatt: IRFR5305PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DPAK-3 (TO-252-3)
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.889 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRFR5305PBF Allgemeine Beschreibung
In summary, the IRFR5305PBF is a versatile and reliable P-Channel MOSFET that delivers excellent performance in various power management applications. With its low on-resistance, high current and voltage ratings, and compact packaging, this transistor is a cost-effective solution for designers looking to optimize power efficiency and performance in their products
Funktionen
- Compact module design
- Improved thermal management
- Reduced electromagnetic interference
Anwendung
- High voltage applications
- Renewable energy systems
- Solar inverters
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DPAK-3 (TO-252-3) | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Qg - Gate Charge | 42 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 89 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
| Fall Time | 63 ns | Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 66 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | HEXFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 39 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns | Width | 6.22 mm |
| Part # Aliases | SP001571570 |
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