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$5000Infineon IRG4BC20UPBF
Ultrafast IGBT power transistors designed for switching frequencies ranging from 8 to 60kHz at 600V
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IRG4BC20UPBF
Datenblatt: IRG4BC20UPBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single IGBTs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRG4BC20UPBF Allgemeine Beschreibung
The IRG4BC20UPBF is built to last, with a maximum operating temperature of 150°C and a storage temperature range of -55°C to 150°C. This means you can rely on this transistor to perform in a wide range of environments and conditions, making it a versatile and robust choice for your electronic projects
Funktionen
The IRF6645PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an Micro8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%.The IRF6645PbF is optimized for primary side bridge topologies in isolated DC-DC applications, for wide range universal input Telecom applications (36V - 75V), and for secondary side synchronous rectification in regulated DC-DC topologies. The reduced total losses in the device coupled with the high level of thermal performance enables high efficiency and low temperatures, which are key for system reliability improvements, and makes this device ideal for high performance isolated DC-DC converters. Features:Anwendung
- HVAC
- Consumer Electronics
- Power Management
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-220-3 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 13 A | Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Packaging: | Tube |
| Brand: | Infineon Technologies | Height: | 8.77 mm |
| Length: | 10.54 mm | Product Type: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | IGBTs |
| Width: | 4.69 mm | Part # Aliases: | SP001537048 |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
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