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Infineon IRG4BC40SPBF

High-power N-channel IGBT chip for efficient power conversio

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: IRG4BC40SPBF

Datenblatt: IRG4BC40SPBF Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220-3

Produktart: Single IGBTs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRG4BC40SPBF Allgemeine Beschreibung

By choosing the IRG4BC40SPBF, you can benefit from its high current handling capacity, low power dissipation, and excellent thermal stability. This transistor offers a reliable and efficient solution for a wide range of power electronics applications

Funktionen

  • Standard: optimized for minimum saturation
  • voltage and low operating frequencies ( <1kHz)
  • Generation 4 IGBT design provides tighter
  • parameter distribution and higher efficiency than
  • Generation 3
  • Industry standard TO-220AB package
  • Lead-Free
  • Benefits
  • Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
  • IGBTs optimized for specified application conditions
  • Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
  • industry-standard Generation 3 IR IGBTs

Anwendung

POWER CONTROL

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Infineon Product Category: IGBT Transistors
RoHS: Details Technology: Si
Package / Case: TO-220-3 Mounting Style: Through Hole
Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A Pd - Power Dissipation: 160 W
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Packaging: Tube Brand: Infineon Technologies
Continuous Collector Current Ic Max: 60 A Height: 4.83 mm
Length: 10.67 mm Product Type: IGBT Transistors
Factory Pack Quantity: 1000 Subcategory: IGBTs
Width: 9.65 mm

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IRG4BC40SPBF is a high-speed, high-voltage Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for power electronics applications. It features a compact design, low on-state voltage drop, and fast switching capabilities, making it ideal for use in motor control, power supply, and renewable energy systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of IRG4BC40SPBF chip are IRG4BC40KPBF, IRG4BC40U, and IRG4BC40UPBF.
  • Features

    1. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 2. Fast switching speed 3. Low saturation voltage 4. High input impedance 5. High current capability of 44A 6. High power dissipation capacity 7. Short-circuit rating of 10µs 8. RoHS compliant 9. Surface mount package 10. Suitable for applications requiring high power and high frequency switching.
  • Pinout

    The IRG4BC40SPBF is a 3-pin Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module with a Collector, Emitter, and Gate pin. It is used for high power switching applications in motor control, inverters, and converters. The pin count is 3, and the functions include controlling the flow of current between the Collector and Emitter terminals through the Gate signal.
  • Manufacturer

    IRG4BC40SPBF is manufactured by International Rectifier, a company that specializes in power management technology and semiconductor products. They design, manufacture, and market a wide range of products, including high-performance power MOSFETs, IGBTs, and ICs for a variety of applications in the automotive, industrial, and consumer electronics industries.
  • Application Field

    IRG4BC40SPBF is a high voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) designed for use in high power applications such as industrial motor drives, inductive heating, and welding equipment. It is also suitable for use in power supplies, UPS systems, and solar inverters.
  • Package

    The IRG4BC40SPBF chip is a silicon gate IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module. It comes in a TO-220AB package form with a size of approximately 10.2 mm x 17.7 mm x 4.8 mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

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