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Infineon IRLR7821PBF
821PBF, MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC" sorted without quotation marks:
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Marken: Infineon
Herstellerteil #: IRLR7821PBF
Datenblatt: IRLR7821PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-252-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $2,701 | $2,701 |
200 | $1,078 | $215,600 |
500 | $1,042 | $521,000 |
1000 | $1,025 | $1025,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IRLR7821PBF Allgemeine Beschreibung
The IRLR7821PBF power MOSFET transistor is engineered to deliver exceptional performance in power management applications. Its low on-resistance of 4.5 mOhm and high continuous drain current rating of 48A enable efficient power handling and suitability for high-power tasks such as power supplies, motor control, and battery management. Additionally, its maximum drain-source voltage of 30V allows for adaptability in circuit designs with varying voltage requirements. Packaged in a compact and durable D-Pak housing, the IRLR7821PBF is designed for easy installation and compatibility with standard PCB mounting techniques, ensuring a seamless integration into electronic systems. With its impressive power handling capacity, heat reduction, and reliability, this transistor is an excellent choice for a wide range of power management applications
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Qg - Gate Charge: | 10 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 75 W |
Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Tube |
Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
Fall Time: | 3.2 ns | Height: | 2.3 mm |
Length: | 6.5 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 4.2 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | HEXFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns | Width: | 6.22 mm |
Part # Aliases: | SP001558962 |
Versand
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