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$5000TI ISO5852SMDWREP
Advanced gate driver for high-power IGBT and MOSFET applications with increased noise immunity
Marken: Texas Instruments
Herstellerteil #: ISO5852SMDWREP
Datenblatt: ISO5852SMDWREP Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 16-SOIC
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.726 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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ISO5852SMDWREP Allgemeine Beschreibung
The ISO5852S-EP device is a 5.7-kVRMS, reinforced isolated gate driver for IGBTs and MOSFETs with split outputs, OUTH and OUTL, providing 2.5-A source and 5-A sink current. The input side operates from a single 2.25-V to 5.5-V supply. The output side allows for a supply range from minimum 15-V to maximum 30-V. Two complementary CMOS inputs control the output state of the gate driver. The short propagation time of 76 ns provides accurate control of the output stage.
An internal desaturation (DESAT) fault detection recognizes when the IGBT is in an overcurrent condition. Upon a DESAT detect, a mute logic immediately blocks the output of the isolator and initiates a soft-turnoff procedure which disables the OUTH pin and pulls the OUTL pin to low over a time span of 2 µs. When the OUTL pin reaches 2 V with respect to the most-negative supply potential, VEE2, the gate-driver output is pulled hard to the VEE2 potential which turns the IGBT immediately off.
When desaturation is active, a fault signal is sent across the isolation barrier pulling the FLT output at the input side low and blocking the isolator input. Mute logic is activated through the soft-turnoff period. The FLT output condition is latched and can be reset only after the RDY pin goes high, through a low-active pulse at the RST input.
When the IGBT is turned off during normal operation with a bipolar output supply, the output is hard clamp to VEE2. If the output supply is unipolar, an active Miller clamp can be used, allowing Miller current to sink across a low-impedance path which prevents the IGBT from dynamic turnon during high-voltage transient conditions.
The readiness for the gate driver to be operated is under the control of two undervoltage-lockout circuits monitoring the input-side and output-side supplies. If either side has insufficient supply, the RDY output goes low, otherwise this output is high.
The ISO5852S-EP device is available in a 16-pin SOIC package. Device operation is specified over a temperature range from –55°C to +125°C ambient.
Funktionen
- ISO58 series provides high-speed data transfer
- Compact design for space-constrained applications
- Suitable for industrial automation and IoT systems
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Texas Instruments | Product Category | Galvanically Isolated Gate Drivers |
| RoHS | Details | Series | ISO5852S-EP |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-16 |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 125 C |
| Technology | Si | Brand | Texas Instruments |
| Features | DESAT Protection, Split Output, Miller Clamp, Power Good, Fault Output, Reset, Soft Turn Off | Moisture Sensitive | Yes |
| Product | Isolated Gate Drivers | Product Type | Galvanically Isolated Gate Drivers |
| Propagation Delay - Max | 110 ns | Factory Pack Quantity | 2000 |
| Subcategory | PMIC - Power Management ICs | Part # Aliases | V62/16623-01XE |
| Number of channels | 1 | Isolation rating | Reinforced |
| Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) | 5700 | Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) | 2121 |
| Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) | 8000 | Power switch | IGBT, MOSFET, SiCFET |
| Peak output current (A) | 5 | Output VCC/VDD (max) (V) | 30 |
| Output VCC/VDD (min) (V) | 15 | Input VCC (min) (V) | 2.25 |
| Input VCC (max) (V) | 5.5 | Propagation delay time (µs) | 0.076 |
| Input threshold | CMOS | Operating temperature range (°C) | -55 to 125 |
| Rating | HiRel Enhanced Product | Bus voltage (max) (V) | 2121 |
| Rise time (ns) | 18 | Fall time (ns) | 20 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 12 |
Versand
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