Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000
IXFN50N80Q2
N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET
Marken: Ixys
Herstellerteil #: IXFN50N80Q2
Datenblatt: IXFN50N80Q2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $34,417 | $34,417 |
| 30 | $33,224 | $996,720 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFN50N80Q2 Allgemeine Beschreibung
The IXFN50N80Q2 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by IXYS Corporation, a reputable semiconductor company. Here are its key details:1. **Manufacturer**: IXYS Corporation, a global leader in power semiconductors. 2. **Part Number**: IXFN50N80Q2. 3. **Type**: Power MOSFET, specifically an N-channel enhancement-mode MOSFET.4. **Voltage and Current Ratings**: The "50" in the part number indicates it can handle high voltages, likely around 800 volts, making it suitable for high-power applications. The "N80" suggests it can handle currents up to 80 amps.5. **Package Type**: Q2 signifies that it comes in a TO-268 package, also known as a D2Pak or D3Pak package, which is a widely used surface mount package for power semiconductors.6. **Technology**: It likely utilizes advanced silicon technology and may incorporate features such as low on-resistance and fast switching speeds, typical of modern power MOSFETs.7. **Applications**: Due to its high voltage and current ratings, it can be used in various power electronics applications, including power supplies, motor control, renewable energy systems, and industrial automation.
Funktionen
Anwendung
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | Discrete Semiconductor Modules | RoHS | Details |
| Product | Power MOSFET Modules | Technology | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Mounting Style | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | IXYS |
| Configuration | Single | Fall Time | 13 ns |
| Height | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current | 50 A |
| Length | 38.23 mm | Number of Channels | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 1.135 kW | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms | Rise Time | 25 ns |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
| Tradename | HiPerFET | Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 60 ns | Typical Turn-On Delay Time | 26 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V | Width | 25.42 mm |
| Unit Weight | 1.058219 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
IXFN50N80Q2 is a high-voltage, fast-switching MOSFET chip. It is designed for power amplification applications, particularly in motor control, UPS systems, and power supplies. It features low on-resistance, high current capacity, and high-speed switching capabilities. With a voltage rating of 800V and a current rating of 50A, this chip offers efficient and reliable performance in high-power applications.
-
Equivalent
There are several equivalent products to the IXFN50N80Q2 chip, including the IRFS7530, FGB50N60SMD, IRFI9630G, and FGH40N60SFD. -
Features
The IXFN50N80Q2 is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 800V, a current rating of 50A, and a low on-state resistance. It has a small form factor, high power density, and is suitable for use in applications such as power supplies, motor control, and inverters. -
Pinout
The IXFN50N80Q2 is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 3, which includes a Drain pin, a Source pin, and a Gate pin. The Drain pin is used for power input and output, the Source pin is connected to the ground, and the Gate pin is used to control the transistor's operation. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXFN50N80Q2 is IXYS Corporation. It is a semiconductor company that develops and produces power semiconductors, integrated circuits, and other electronic components for various applications, including power management and conversion, motor control, and telecommunications. -
Application Field
The IXFN50N80Q2 is a high-power MOSFET that can be used in various applications such as motor drives, power supplies, inverters, and industrial equipment. It is designed to handle high voltages and currents, making it suitable for demanding power electronics applications. -
Package
The IXFN50N80Q2 chip is available in a TO-247 package type. It has a quad construction and measures about 19mm x 8.8mm x 4.45mm in size.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
